第九章半导体光电子材料.pptVIP

* * 第九章 半导体光电子材料 第一页，共二十八页。 电子器件和光电子器件应用是半导体材料最重要的两大应用领域 半导体材料Si，GaAs和GaN，InP等既是重要的电子材料，也是重要的光电子材料 第二页，共二十八页。 8.1 半导体激光材料 1962年，GaAs激光二极管的问世，作为半导体光电子学的开端。 激光的激射波长取决于材料的带隙，且只有具有直接带隙的材料才能产生光辐射，它使注入的电子－空穴自己发生辐射复合以得到较高的电光转化效率 第三页，共二十八页。 产生激光的条件 1. 形成粒子数反转，使受激辐射占优势 2. 具有共振腔以实现光量子放大 3. 外界输入能量至少要达到阈值，使激光管的增益至少等于损耗 第四页，共二十八页。 LD材料 GaAs基 InP基 GaN基 GaSb基 第五页，共二十八页。 8.2 半导体显示材料 发光二极管（LED） 电致发光显示 第六页，共二十八页。 8.2.1 发光二极管 LED 发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。 当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的禁带与p区的空穴复合以光的形式释放出能量。 第七页，共二十八页。 LED应用 半导体白光照明 车内照明 交通信号灯 装饰灯 大屏幕全彩色显示系统 太阳能照明系统 其他照明领域 紫外、蓝光激光器 高容量蓝光