通过面积扩张和散热硅通孔的3dic热量优化.pdfVIP

通过面积扩张和散热硅通孔的3dic热量优化.pdf

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28 7 电子测量与仪器学报 Vol. 28 No. 7 第 卷 第 期 ·748 · JOURNAL OF ELECTRONIC MEASUREMENT AND INSTRUMENTATION 2014 年7 月 DOI :10. 13382 /j. jemi. 2014. 07. 010 * 1,2 1,2 1 1,2 1,2 1,2 王 伟 杨国兵 方 芳 陈 田 刘 军 张 欢 (1. 合肥工业大学 合肥 230009 ;2. 情感计算与先进智能 省 合肥 230009) : , 3D IC , , 摘 要 随着集成度的增加 高密度的 的发热问题变得越来越严重 温度过高的热斑不仅影响 的性能 甚至对芯 。 , , 片的可靠性带来严重的威胁 从两个方面来优化三维 的热量问题 通过模拟退火算法把电路模块划分到合适的层 使 ; x /y , z 得热斑块在整体 的分布较为均 在 方向上对热斑块适当的面积扩张来降低热斑块的功耗密度 然后在 方向上插 。 , , ncpu 入散热硅通孔来转移 内部的热量 结果表明 通过该优化后的 最高温度可以进一步减小 在电路 第二 11. 98° ; , 层中优化前后最高温度降低了 热量分布更加均衡 层内最高温度与最低温度之间的差距进一步缩小最大可以缩减 11. 82, 。 有效地控制了 的温度 : ; ; ; 三维 热量 面积扩张 散热硅通孔 号:TP391. 7 ;TN9 文献标识码:A 标准学科分类代码:520. 3 3D IC heat optimization through area expansion and thermal through silicon via Wang Wei1,2 Yang Guobing1,2 Fang Fang1 Chen Tian1,2 Liu Jun1,2 Zhang Huan1,2 (1. Hefei University of Technology,Hefei 230009 , ;2. Anhui Province Key Laboratory of Affective Computing and Advanced Intelligent Machine ,Hefei 230009 , )

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