第22章存储器和可编程逻辑器件.pptVIP

可编程逻辑器件（PLD）它是由用户自行定义功能（编程）的一类逻辑器件的总称。 图22.3.1 PLD的结构框图 输入电路 与阵列 或阵列 输出电路 ... ... 22.3 可编程逻辑器件 PLD中常用逻辑符号的含义 在图(a)中, 多个输入端“与”门只用一根输入线表示，称乘积线。输入变量A、B、C的输入线和乘积线的交点有三种情况：(1)黑点“?”表示该点为固定连接点，用户不能改变。(2)叉点“?”表示该点为用户定义编程点，出厂时此点是接通的, 用户可根据需要断开或保持接通。(3)既无黑点“?”也无叉点“?”时，表示该点是断开的或编程时擦除的，其对应的变量B不是“与”门的输入量。 A B C Y Y=AC (a) A C B ≥1 Y (b) Y=A+C 1 Y (c) Y1=A Y2=A A Y1 Y2 图22.3.2 PLD阵列中的逻辑符号 22.3.1 可编程只读存储器 1.一次编程性只读存储器（PROM） 厂家制造PROM时，使存储矩阵（“或”阵列）的所有存储单元的内容全为“1”（或“0”），用户可根据自己的需要自行确定存储单元的内容。 图22.3.3 由二极管和熔断丝构成的存储单元 熔断丝 位线 字线 存储“1” 存储“0” 图22.3.4 PROM的阵列图 A2 1 1 A1 1 A0 ≥1 D2 D1 ≥1 D0 ≥1 或阵列 与阵列 WO W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 固定“与” 阵列 可编程“或” 阵列 例1: 图22.3.5是用PROM构成的阶梯波信号发生器，输出电压u0的波形由P图。ROM存储的内容决定。今需生产图22.3.6所示阶梯波信号，试列出PROM的编码表并画出PROM的编程阵列。说明：图中电子开关由PROM位线电平控制，当D=1时，开关接基准电压-UR;当D=0时，开关接地。 解： (1)根据反相加法运算电路可得出阶梯波电压u0 第22章 存储器和可编程逻辑器件 22.1 只读存储器 22.2 随机存取存储器 22.3 可编程逻辑器件 本章要求 1.了解ROM, RAM, PROM, EPROM和ROM 的结构和工作原理及功能的区别； 第22章 存储器和可编程逻辑器件 2.了解常用可编程逻辑器件在实际中的应用； 3. 会用可编程逻辑器件构成简单的逻辑函数 半导体存储器分类： 按功能 只读存储器（ROM） 随机存取存储器（RAM） 按元件 双极型存储器:速度快，功耗大。 MOS型存储器：速度较慢，功耗小， 集成度高。 22.1 只读存储器 22.1.1 ROM的结构框图 只读存储器（ROM） ，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息。 图22.1.1 ROM的结构框图 存储输出 读出电路 存储矩阵 地 址 译 码 器 N×M 位线 （数据线） 字线（选择线） 地址输入 AN-1 A1 A0 ... ... W0 W1 WnN-1 DM-1 D0 D1 ... ... 表示存 储容量 1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。存储器是以字为单位进行存储的。图22.1.1中有N×M个存储单元。 2.地址译码器：为了存取的方便，给每组存储单元以确定的标号，这个标号称为地址。图22.1.1中，W0~WN-1称为字单元的地址选择线，简称字线；地址译码器根据输入的代码从W0~WN-1条字线中选择一条字线，确定与地址代码相对应的一组存储单元位置。被选中的一组存储单元中的各位数码经位线D0~DM-1传送到数据输出端。 ROM主要结构 存储矩阵 地址译码器 22.1.2 ROM的工作原理 图22.1.2二极管 ROM电路 1 1 A0 A1 字线 位线 读出电路 地址译码器 存储矩阵 存储输出 地址输入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 存“1” 存“0” (1) 存储矩阵 22.1.2 ROM的工作原理 1. 二极管构成的ROM的工作原理 图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。 交叉点处接有二极管时, 相当于存“1”；交叉点处 没有接二极管时，相当于存“0”； 如：字线W0与位线有四个交叉点, 其中与位线D0和D2交叉处接有二极管。当选中W0(为高电平)字线时，两个二极管导通，使位线D0和D2为“1”, 这相当于接有二极管的交叉点存“1”。 22.1.2 ROM的工作原理 交叉点处没有接二极管处，相当于存“0”；位线D1和D3为“0”, 这相当