第2章半导体电力开关器件.pptVIP

电力三极管的主要特点 是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断； 开关速度较快； 饱和压降较低； 有二次击穿现象； 能控制较大的电流和较高的电压； 电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过1200V、800A; 已经淘汰 ? * 2.3 晶闸管及其派生器件 晶闸管实物图 * 2.3.1 逆阻型晶闸管SCR—两个三极管正反馈 2.3.2 逆导型晶闸管RCT 2.3.3 光控晶闸管LCT 2.3.4 双向晶闸管TRIACIGBT 2.3 晶闸管及其派生器件 * 2.3.1 逆阻型晶闸管SCR—两个三极管正反馈 晶闸管的结构、符号和结构模型 * A G K Vs R I A I C1 I g Vg Rg I C2 I C T1 T2 P1 J1 N1 J2 J3 J2 P2 P2 N1 N2 i B2 (d)等效电路 可控开通 关断时： 强迫其电流 下降到维持电流以下 通态时 晶闸管的等值电路 * 静态伏安特性 及 dv/dt 防护 * 图中画斜线部分为一个2?周期中晶闸管的电流波形。若各波形的最大值为Im=100A，试计算各波形电流的平均值Id1、Id2、Id3和电流有效值I1、I2、I3 。 若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为100A的晶闸管能否满足要求？ 例2-1 ? 答：见书39页 * 2.3.2 逆导型晶闸管RCT 逆导晶闸管等值电路和符号 * 2.3.3 光控晶闸管LCT 光控晶闸管符号及等值电路 * 双向晶闸管符号、等效电路和伏安特性 2.3.4 双向晶闸管TRIAC ? * GTO符号及关断原理图 GTO （Gate Turn-Off Thyristor） 为什么能靠反向触发电流关断？ T2的电流分配系数较大； T1、T2饱和深度较浅 2.4 门极可关断晶闸管GTO * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET P-MOSFET基本结构、符号和外接电路 * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET（续1） 目前流行的结构 具有垂直导电双扩散MOS结构的N沟增强型VDMOS的结构 * 电力电子学 ——电力电子变换和控制技术（第二版） 第 2 章半导体电力开关器件 2 半导体电力开关器件 2.1 电力二极管 2.2 双极结型电力晶体管BJT 2.3 晶闸管及其派生器件 2.4 门极可关断晶闸管GTO 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT *2.7 *2.8 自学 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路 本章小结 * 电力开关器件家族树 * 电力开关器件发展史 * 2.1 电力二极管 * 电力二极管实物图 * 2.1.1 半导体PN结 P型、N型半导体和PN结 * 2.1.2 半导体二极管基本特性—单向导电性 正向接法时内电场被削弱，扩散运动强于漂移运动，掺杂形成的多数载流子导电，等效电阻较小。 反向接法时内电场被增强，漂移运动强于扩散运动，光热激发形成的少数载流子导电，等效电阻很大。 * 半导体二极管的符号及正反向接法 * 2.1.2 半导体二极管基本特性—单向导电性（续1） 正向接法 反向接法 * 2.1.2 半导体二极管基本特性—单向导电性（续2） 一般表达式： 反向时的表达式： 正向时的表达式： Is：反向饱和电流 * 2.1.2 半导体二极管基本特性—单向导电性（续3） PN结高频等效电路 * 2.1.3 半导体电力二极管重要参数 半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极管使用过程中： 是否被过压击穿 是否会过热烧毁 开关特性 * 额定电流的定义： 其额定发热所允许的正弦半波电流的平均值 。 当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算： * 当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算： 最大允许全周期均方根正向电流的定义： 当二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时，与其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms称为最大允许全周期均方根正向电流。 * 二极管电流定额的含义 如手册上某电力二极管的额定电流为100A，说明： 允许通过平均值为100A的正弦半波电流； 允许通过正弦半波电流的幅值为314A； 允许通过任意波形的有效值为157A的电流； 在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。 由额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得： * 选择二极管电流定额的过程： 求出电路中二极管电流的有效值IFrms ； 求二极管电流定额IFR，等于有效值IFrms 除以1.57； 将选定的定额放大1.5到2倍以保证安全。 * 半导体电力二极管的开关特性 开关过程，由导通状态转