半导体物理学：第6章 pn 结1.pdfVIP

第六章 pn 结 主要内容 ： pn结 突变结和缓变结 ； 内建电场的产生 ； 空间电荷区的特征 ； 平衡时pn结的能带 ； 非平衡时pn结的能带 ，电流-电压特性 ，反向 击穿 ，电容效应； 6.1 pn结及其能带图 1、pn结的形成和杂质分布 制造原理 ： 杂质补偿原理 n-Si p-Si p-Si NA N N D A 制造方法 ： 1、合金法 (Alloy)； 2、扩散法 (Diffusion)； 3、离子注入法 (Ion implantation)； 4、生长法 (Growth)； 合金法制备pn结 下图表示用合金法制造pn结的过程 ，把一小粒铝放在 一块n型单晶硅片上 ，加热到一定程度，形成铝硅的熔融 体，然后降低温度 ，熔融体开始凝固，在n型硅片上形成 一含有高浓度铝的p型硅薄层 ，它和n型硅衬底的交界面 处即为pn结。 合金结的杂质分布如下图所示 ，其特点是n型区中的施主杂 质浓度为N ,而且是均匀分布 ，p型区中受主杂质浓度为N ， D A 也是均匀分布。在交界面处 ，杂质浓度由NA （p型）突变为 ND （n型），具有这种杂质分布的pn结称为突变结。 N(x) 设pn结的位置在x=xj 处， 则突变结的杂质分布可以表示 NA 为： x x , N(x) = N j A ND x x , N(x) = N j D xj x 实际的突变结 ，两边的杂质浓度相差很多，通常称 + 这种结为单边突变结 （这里是p n结）。 扩散法制造pn结 下图是用扩散法制造pn结（也称扩散结 ）的过程。它 是在n型单晶硅片上 ，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得 的pn结。其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。 p型杂质 SiO2