开关电源的主要元器件.pdfVIP

第二讲 开关电源中的主要元器件 元器件是构成开关电源的基础，深入了解关键元器件的性能，对于使用维护乃至设计 开 关电源尤为重要。本节将对应用广泛的新型元器件作介绍。 率开关 晶闸管(SCR)于 1956 年问世，接着以它为 的派生器件投入市场，而这些派生器件 比 SCR 具有更高的额定电压和电流，以及更好的开关特性。但是它们均属半控型器件， 所以辅助电路多、效率低、工作频率低。 进入 20 世纪 80 年代，由于电力电子技术和微电子技术的应用相结合，而向市场推出 了高频化全控功率集成器件。如功率 MOS 管、绝缘门极晶体管 (或 IGT)、静电感应晶 体管 (SIT)、场控晶闸管(MCT)等。由于这些器件不需另设辅助开关去强迫关断，故称为全 控型电子器件。它们具有较高的效率和较高的工作频率，从而使开关电源整机体积变小而 重量变轻，达到提高功率密度的目的。 在新一代全控型电力电子器件 率 MOS 管和静电感应晶体管(SIT)属单极型器件， 它们只有一种载流子。而 (或 IGT)、MCT 及功率集成电路 (PIC)或智能功率模块(1PM)、 智能开关等，为混合型器件。它们是双极型晶体管与 MOS 管混合，或是晶闸管与 MOS 器件 混合。上述器件除有自关断性能外，还有如下特点： (1) 在 结 构 上 由 无 数 单 元 小 管 并 联 集 成 ； (2)均为高频器件，工作频率从几千赫兹至几兆赫兹。有的频率已达 10MHz 以上； (3)应用性能更完善，除了有开关功能之外，有些器件还有放大、PWM 调制、逻辑运算 等功能。目前，高频开关电源采用的功率器件通常有：功率 MOSFET、 、功率 MOSFET 与 混合管及功率集成器件。 1、功率 MOSFET 场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，功率场效应晶体管都是绝缘栅型场效 应管。绝缘栅型场效应管是由金属氧化物、半导体组成的场效应晶体管，简称 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，这是一种电压控制的单极型 器件。功率MOSFET(VMOSFET，有时也简称VMOS)作为开关器件，其常态都是阻断状态，也就 是说都是增强型的MOSFET。VMOSFET分为N沟道和P沟道两种，其中，N沟道VMOSFET的导通电 流从漏极D流向源极S，而P沟道VMOSFET的导通电流从源极S流向漏极D，它们的电气图形符号 如图3-2-1所示。 图3-2-1 VMOSEFT的图形符号 1 图3-2-1中， 反并联的二极管表示MOSFET结构中的寄生二极管或集成的可续流的二极 管。从MOSFET的结构和工作原理可以知道， MOSFET存在固有的寄生反并联二极管。所以， 有时为了保护MOSFET， 在较高容量VMOSFET中， 又集成了电流容量更大、耐压更高、恢复 更快的反并联二极管。 VMOSFET分为V型结构 (VVMOSFET)和D型结构 (VDMOSFET)。VVMOSFET栅电容小、开关速度 快、沟道电阻小，但耐压不高，适用于低耐压、大电流应用。VDMOSFET采用两次扩展，精确 控制沟道长度，除具有VVMOSFET的优点外，耐压也高，适合于高耐压应用。 功率 MOSFET 的特点 ， (1)它具有很大的输入电阻，故作功率开关管应用时，驱动电流很小，功率增益高，是 一种电压控制器件。又由于开启电压高，进行关断时无需加闭锁电压。 (2)功率 MOSFET 导通电阻温度系数为正值，若多个功率 MOS 管并联时，则不需另设均流 电阻。例如，并联组合管中某单元管芯电流增加时，其工作温度随之升高而使电阻增大， 进 而限制了电流的增长，所以具有自动均流的能力。 (3)在高温运行时，不存在温度失控的现象。因为温度变化时，对功率 MOS 管极间电 容影响极小