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静态伏安特性 及 dv/dt 防护 * 第二十八页，共四十九页。 图中画斜线部分为一个2?周期中晶闸管的电流波形。若各波形的最大值为Im=100A，试计算各波形电流的平均值Id1、Id2、Id3和电流有效值I1、I2、I3 。 若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为100A的晶闸管能否满足要求？ 例2-1 ? * 第二十九页，共四十九页。 2.3.2 逆导型晶闸管RCT 图2.13逆导晶闸管等值电路和符号 * 第三十页，共四十九页。 2.3.3 光控晶闸管LCT 图2.14 光控晶闸管符号及等值电路 * 第三十一页，共四十九页。 图2.15 双向晶闸管符号、等效电路和伏安特性 2.3.4 双向晶闸管TRIAC ? * 第三十二页，共四十九页。 图2.16 GTO符号及关断原理图 GTO （Gate Turn-Off Thyristor） 为什么能靠反向触发电流关断？ T2的电流分配系数较大； T1、T2饱和深度较浅 2.4 门极可关断晶闸管GTO * 第三十三页，共四十九页。 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET P-MOSFET基本结构、符号和外接电路 * 第三十四页，共四十九页。 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET（续1） 目前流行的结构 具有垂直导电双扩散MOS结构的N沟增强型VDMOS * 第三十五页，共四十九页。 2.5 电力场效应晶体管P－M