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123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 电感类： 电感方向标识 PCB方向标识 电感贴装无方向 第六十一页，共七十五页。 电感类： 电感贴装无方向 电感贴装无方向 第六十二页，共七十五页。 二极管类： 二极管方向标识 PCB方向标识 PCB方向标识 二极管方向标识 第六十三页，共七十五页。 三极管类： 三极管一边一只脚,一边三只脚. 第六十四页，共七十五页。 晶振类： PCB方向标识 晶振方向标识 第六十五页，共七十五页。 集成电路类： PCB方向标识 集成电路方向标识 软件烧录标识 第六十六页，共七十五页。 集成电路类： 集成电路方向标识 PCB方向标识 第六十七页，共七十五页。 十、常见缺陷判定标准 第六十八页，共七十五页。 第六十九页，共七十五页。 第七十页，共七十五页。 第七十一页，共七十五页。 第七十二页，共七十五页。 第七十三页，共七十五页。 第七十四页，共七十五页。 内容总结 SMT元器件基础知识。焊接面：电路板中元件面的反面，有许多焊盘提供焊接用。金属化孔(PTH) :一般用来插元件和布明线的金属化孔。缺件：应放置零件之位置，因不正常之缘故而产生空缺。换算方法（基本换算单位：欧姆—Ω）。换算方法（基本换算单位：皮法—pF）。0.05±0.05。钽电容的粗体隐影部分与电解电容不同，钽电容表示为正极。（1）标称容量与允许误差：电容器上所标出的电容量称为标称容量。①定义： 三极管全称是半导体三极管，也称双极型晶体管。（6）按安装方式分：贴片三极管、插件三极管。常用的是绕线式和叠层式两种类型。类为：快速熔断、慢速熔断和增强熔化热能三种类型。有单边孔和双边孔。三极管一边一只脚,一边三只脚. 第七十五页，共七十五页。 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 123 * 6.场效应管 场效应管也是一种晶体管，有三个或四个引脚，同样具有放大的特性。 ①定义： 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。 第二十九页，共七十五页。 ②分类： 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 结型场效应管（JFET） （1）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。 结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。 电路符号中栅极的箭头场效应管方向可理解为两个PN结的正向导电方向。 第三十页，共七十五页。 （2）结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。 绝缘栅场效应管 （1）绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。 （2）它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。 第三十一页，共七十五页。 （3）绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变