晶体硅太阳电池设计 转换效率极限.pptVIP

* * * 转换效率极限与太阳电池设计原理 第一页，共十八页。 光生电流极限 一个自身能量高于带宽的光子产生一对或多对电子空穴对。 能量阀值： 1.124eV 300K 1.052eV 单声子辅助吸收 0.987eV 双声子辅助吸收 自由载流子吸收 晶格吸收 第二页，共十八页。 第三页，共十八页。 第四页，共十八页。 光生电流极限 最大光生电流（纯硅）51.5mA/cm2，受自由载流子吸收的限制，要得到这样的电流，硅片的厚度需几米厚。 对于正常厚度的太阳电池（＜1mm），光的有限吸收对电流的限制远远大于自由载流子吸收对电流的影响。 第五页，共十八页。 开路电压的极限 两个本征的复合原理：辐射复合，俄竭复合。 n+ P WB 第六页，共十八页。 开路电压的极限 低注入情况：少子的的浓度远低于电池内的多子浓度。在假设电池前、后表面复合速率为零的情况下，俄竭复合的极限暗电流为： 第七页，共十八页。 开路电压的极限 高注入薄电池 随着掺杂浓度的降低,由俄竭复合限制的Voc将提高，掺杂浓度进一步降低使得电池进入高注入状态,此时Voc将处于由上式表示的饱和状态。 第八页，共十八页。 开路电压的极限 高注入情况 低注入 薄电池 低注入 厚电池 第九页，共十八页。 填充因子极限 俄竭复合：低注入n=1 高注入 辐射复合：低注入和高注入 n=1 缺陷复合：低注入n=1 高注入n=2 最大FF极限：高注入薄电池 第十页，共十八页。 转换效率极限 VOC和ISC 随电流厚度的变化趋势相反，所以对于转换效率存在着一个最佳的厚度值：80μm, 28.8%。 第十一页，共十八页。 Isc的损失 表面反射损失 10% 表面电极遮光损失 5~15% 不能充分吸收光的能量 体内复合 表面复合 第十二页，共十八页。 VOC的损失 电池内的复合过程（表面、体内、p-n结区）决定了VOC的大小 第十三页，共十八页。 * * *