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第六节位错的增殖、塞积与交割 对晶体进行塑性变形，位错数量会增 对晶体进行塑性变形，位错数量会增 加；位错在外力下滑移，遇到 时则在障 加；位错在外力下滑移，遇到 时则在障 碍物前塞积；晶体中位错线的方位各式各 碍物前塞积；晶体中位错线的方位各式各 样，位错在运动中相遇有可能发生交割。 样，位错在运动中相遇有可能发生交割。 一.位错的增殖 晶体的塑性变形以滑移方式进行，滑移量是一 千个原子间距时才可能形成可见滑移带；单个位错 的运动，扫过滑移面时，只形成一个原子间距的相 对位移后即消失。晶体的滑移不是固有位错的滑移 造成的。 克-瑞德(F-R)源增殖机制 位错增 瑞德(Read,W.T.)源增殖机制 殖机制 双交滑移增殖机制 等 1. 克-瑞德(F-R)源增殖机制 A B A B A B A B A B 克-瑞德(F-R)源增殖机制 开动 克-瑞德源所需临界切应力 要想保持位错线AB弯曲状态需外加切应力 Gb τ 2R 当AB弯成半圆形时，R最小，τ最大，此时 τ Gb / LL ：AB 的长度。 此后位错继续扩展，其曲率半径反而增大，切应力 又重新减小。故2R=L时的τ即为临界切应力。如果 L数量级在10-3-10-5cm之间，则临界切应力的数量级 为10-3-10-5G，接近于晶体实际屈服强度。 二.位错的塞积 τ 位错来自同一 位错源 位错源，具有相同 的柏氏矢量；领先 L 滑移面 位错主要受 物 物 对其的阻力和有效 的外加切应力，以 位错的塞积群 及其它位错的应力场作用；而其它后面的位错只受 外加切应力和其它位错应力场作用。 各位错保持平衡时，越靠近 物处位错排列 越密集，塞积群中位错总数： ( ) N k πτL / Gb 0 k ：系数，螺型位错k=1 ，刃形位错k=1-ν，混合型 位错k介于1与1- ν之间。ν是泊松比。 τ0：作用在滑移面上的外加分切应力； L ：位错源到 物距离；b ：柏氏矢量； G：切变弹性模量。 物受到的切应力为：τ N τ0 即作用于 物的作用力比外应力τ 放大了