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实验三 共射放大电路计算、仿真、测试分析报告
(请在本文件中录入结果并进行各类分析,实验结束后,提交电子文档报告) 实验目的:
掌握共射电路静态工作点的计算、仿真、测试方法;掌握电路主要参数的计算、中频时输入、输出波形的相位关系、失真的类型及产生的原因;掌握获得波特图的测试、仿真方法;掌握 负反馈对增益、上下限截频的影响,了解输入输出间的电容对上限截频的影响等。
实验设备及器件:
笔记本电脑(预装所需软件环境) AD2 口袋仪器
电容:100pF、0.01μF、10μF、100μF
电阻:51Ω*2、300Ω、1kΩ、2kΩ、10kΩ*2、24kΩ 面包板、晶体管、2N5551、连接线等
实验内容:
电路如图 3-1 所示(搭建电路时应注意电容的极性)。
R
R
R
24k?
1
100 pF
5
V ? 5V
CC
C
1k?
C
4
3
C
1 ?
? 10?F
v
i
?
10?F
?
VT
R
51?3
R
6
10k?
v
o
R
2
? 10k?
R
3004?
C
2
100? F
?
图 3-1 实验电路
静态工作点
用万用表的β测试功能,获取晶体管的β值,并设晶体管的VBEQ=0.64V,rbb’=10Ω(源 于 Multisim 模型中的参数)。准确计算晶体管的静态工作点(IBQ、IEQ、VCEQ,并填入表3-1)
(静态工作点的仿真及测量工作在C4 为 100pF 完成);
主要计算公式及结果:
晶体管为 2N5551C,用万用表测试放大倍数β(不同的晶体管放大倍数不同,计算时使用实
测数据,并调用和修改 Multisim 中 2N5551 模型相关参数,计算静态工作点时,V =0.64V)。
BEQ
静态工作点计算:
为获取静态工作点,需通过直流通路进行分析,如下为直流通路电路图:
通过Multisim 仿真获取静态工作点(依据获取的β值,修改仿真元件中晶体管模型的参数,修改方法见附录。使用修改后的模型参数仿真IBQ、IEQ、VCEQ,并填入表 3-1);
下图为仿真电路图和仿真结果图(直流工作点分析):
搭建电路测试获取工作点(测试发射极对地电源之差获得I ,测试集电极与发射极电
EQ
压差获取V ,通过β计算I ,并填入表 3-1);
CEQ BQ
主要测试数据:
图一:V 值(用于计算I )
EQ EQ
图二:V 值(用于计算I )
CEQ BQ
表 3-1 静态工作点的计算、仿真、测试结果(C4 为 100pF)
I (μA)
BQ
I (mA)
EQ
I (mA)
CQ
β(实测值)
计算值
15.98883
2.36634
2.35035
147
仿真值
14.09726
2.08639
2.07230
测试值
13.91821
2.05128
2.04597
对比分析计算、仿真、测试结果之间的差异。
β=I /I
CQ BQ
仿真值:β=2.08639×103÷14.09726=147.000197 mA
测试值:I =V /(R +R )=2.05128 mA
EQ EQ 3 4
V +βI R +(β+1)I (R +R )=Vcc 得到:I =13.91821μA
CEQ BQ 5 BQ 3 4 BQ
差异:仿真结果与测试结果静态工作点下,各极电流值均小于计算值。因为计算值是理想状态,用线性关系进行近似计算,实际上是非线性的
波形及增益
计算电路的交流电压增益,若输入1kHz 50mV(峰值)正弦信号,计算正负半周的峰值并填入表 3-2 中(低频电路的仿真及测量工作在C 为 100pF 完成);
4
主要计算公式和结果
Multisim 仿真:输入1kHz 50mV(峰值)正弦信号,观察输入、输出波形(波形屏幕拷贝贴于下方,标出输出正负半周的峰值,将输出的峰值填入表3-2 中);
输入输出波形图:
实际电路测试:输入1kHz 50mV(峰值)正弦信号,观察输入、输出波形(波形屏幕
拷贝贴于下方,标出输出正负半周的峰值,将输出的峰值填入表3-2)。(信号源输出小信 号时,由于基础噪声的原因,其信噪比比较小,导致信号波形不好,可让信号源输出一个较大幅值的信号,通过电阻分压得到所需50mV 峰值的信号建议使用 51Ω和 2kΩ分压)
输
/mv
入
输出正半
周峰值/mv
输出负半
周峰值/mv
输出正半周峰值
与输入峰值比
输出负半周峰值
与输入峰值比
计算
50
727.545
727.545
14.5509
14.5509
仿真
50
694.295
708.676
13.8859
14.1735
测试
50
702.50
735.552
14.0500
14.7110
表 3-2 波形数据(C4
表 3-2 波形数据(C4为 100pF)
仿真与测试的波形有无明显饱和
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