等离子体基础知识介绍.docxVIP

1.等离子体基础知识介绍 (1 )什么是等离子体(plasma ) ? 等离子(plasma )是除固体、液体、气体之外的第四种物质状态, 主要是由气体在高电磁场作用下发生解离，形成一种包括电子(带负 电)，正离子(带正电),自由基和中性气体分子组成的高活性物质， 通产情况下会发光，一般情况下，等离子中的正电荷数等于负电荷数， 所以整体呈电中性(Quasi-neutral )。日常生活中见到的闪电、日光 灯、霓虹灯就是等离子体发光现象。 图1物质的四种状态 (2)等离子的产生 等离子的产生有很多种方法，但生成和维持都需要外部能量的输入。 电子从外加电磁场获得能量，然后发生非弹性碰撞产生激发 (excitation )、解离吸附(dissociative attachment )、解离 (dissociation )、离子化(ionization )、在结合(recombination )反响，由此产生二次电子、原子、分子、离子等物质，然而在解离碰撞中，电子可能与气体离子有再结合作用，或者因为漂移及扩散而离 开电磁场范围等原因消失，因此当电子产生与消失的速率相等时，此 时的plasma即为稳定状态。这里列举四种ETCH常用产生plasma 的方法，后面会详解介绍。 LCCP : Capacitively Coupled Plasma IL ICP : Inductively Coupled PlasmaTCP : Transformer Coupled Plasma ECR : Electron Cyclotron Resonance图2 plasma产生示意图 图2 plasma产生示意图 图2 plasma产生示意图 图2 plasma产生示意图 Cathode (3)等离子体的参数 ?平均自由路径(Mean Free Path , MFP ): 粒子与粒子碰撞前能够移动的平均距离。MFP与环境压力P呈 反比，压力越高，MFP越短，压力约低，MFP越长，这就是为 什么plasma产生要在低压近似真空环境下产生,因为在大气压 力下(760Torr),电子的MFP很短,很难获得足够的能力来 使用气体离子化。 (a)高屋(b)低魔M二功祥 图3 MFP示意图 ?电离度： 等离子体中电子浓度占离子和中性粒子浓度之和的比例。电离度 主要取决于plasma中电子的能量，大局部plasma反响室中的 电离度低于0.01% ,高密度等离子体的电离度约1%~5% ,太阳 中心处的电离度近似100%。 (4)等离子体的应用 目前等离子体技术广泛应用于各类产业，如半导体产业，生物医药 产业，食品与化工产业，汽车零件产业等，后面文章介绍plasma在半 导体ETCH中的应用。 He coolantPowered electrodeGas inletMain RFWaferChuckGas outletGrounded electrode He coolant Powered electrode Gas inlet Main RF Wafer Chuck Gas outlet Grounded electrode 图4 ETCH chamber示意图