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一文了解Sic功率模块封装近几十年来，以新开展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅 (SiC)为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。 SiC与第1代半导体材料硅(Si)、错(Ge )和第2代半导体材料碑 化钱(GaAs )、磷化钱(GaP )、GaAsAk GaAsP等化合物相比, 其禁带宽度更宽，耐高温特性更强，开关频率更高，损耗更低，稳定 性更好，被广泛应用于替代硅基材料或硅基材料难以适应的应用场合。 (1)禁带宽度更宽：SiC的禁带宽度比Si高3倍以上，使其能耐受 的击穿场强更高(临界击穿场强是Si基的10倍以上)，故器件能承 受的峰值电压更高、能输出的功率更大。相同电压等级下，SiC功率半 导体器件的漂移区可以做得更薄，可使整体功率模块的尺寸更小，极 大地提高了整个功率模块的功率密度。另外，导通电阻Ron与击穿场 强的三次方成反比例关系，耐击穿场强的能力高，导通电阻小，减小 了器件开关过程中的导通损耗，提升了功率模块的效率。 (2 )耐温更高：可以广泛地应用于温度超过600 °C的高温工况下， 而Si基器件在600 T左右时，由于超过其耐热能力而失去阻断作用。 碳化硅极大提高了功率器件的耐高温特性。 (3 )热导率更高：SiC器件的热导率比Si高3倍以上，高导热率提 升了器件和功率模块的散热能力，减低了对散热系统的要求，有利于 提高功率模块的功率密度。