电子科技大学2009半导体物理期末考试试卷B试题答案解析.docxVIP

第 1 页 共 9页 大 大 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 ( 120 分钟) 考试形式： 闭卷 考试日期 2010 年 元月 18 日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 得分 签名 复核人 签名 得 分 一、填空题: (共 16 分，每空 1 分) 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体， 这时 电离杂质 对载流子的散射作用不可 忽略。 忽略。 2 2. 处在饱和电离区的 N 型 Si 半导体在温度升高后， 电子迁移率会 下降/减小 ，电阻 率会 率会 上升/增大 。 3. 电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。 4. 4. 随温度的增加， P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制 造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在 氧空位的 ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7 7. 相对 Si 而言， InSb 是制作霍尔器件 的较好材料，是因为其电子迁移率较 高/ 。 。 8. 8. 掺金 工 艺通 常用 于 制造 高频器件 。金 掺入 半 导体 Si 中 是 一种 深 能 级 杂质，通常起 杂质，通常起 复合 中心的作用，使得载流子寿命减小。 9. 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用， 可通过回旋共振实验来测量。 S m10. 某 N 型 Si 半导体的功函数 W 是 4.3eV，金属 Al 的功函数 W 是 4.2 eV S m 第 2 页 共 9页 压 压 和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/Ei 。 1 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面 反型少子的 反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为 开启电压/阈值电 。 。 13. 13. 金属和 n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电 子势 子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地(减少/变窄/变薄)。 得 分二、选择题(共 15 分，每题 1 得 分 1. 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下 Si 的本征载流子浓度为n 1.5 1010 cm 3 。处于稳态的某掺杂 Si 半导体 i 中 电 子 浓 度 n 1.5 1015 cm 3 ， 空 穴 浓 度 为 p 1.5 1012 cm 3 ， 则 该 半 导 体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为 0，则该半导体必定处于绝对零度 B B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中，导带电子都处于导带底 Ec 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的 第 3 页 共 9页 C C D. 同一种半导体材料中