第四章MOSFET及其放大电路.ppt

第4章 MOSFET及其放大电路;第4章 场效应管及其放大电路;四、FET的小信号模型;重点、难点知识点;4.1 结型场效应管;4.1.2 结型场效应管的工作原理;（2）漏源电压对沟道的控制作用;（1）输出特性曲线： iD=f（ VDS ）│VGS=常数;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲;4.2 MOS型场效应管;2、工作原理;vGS＞0;（2）vDS对 iD 的影响;当vDS增加到vDS=VTN时;（3）N沟道增强型MOS管的特性方程;4.2.2 N沟道增强型MOSFET管伏安关系式;;4.3 直流和交流参数和小信号等效模型;例 4-1 FET、BJT的组态及其电路结构和分析 方法类似。但是，对稳态工作点电流 ID的求 解方式不同（仅能用转移特性方程式和栅源 间电压方程式联立求解方程的方法求解 ID。） 已知：;4.3 MOSFET的偏置电路;;;[例4.2]目的：计算N沟道增强型MOSFET共源极 电路的漏极电流和漏源电压。;解：;;;[分析指南] MOSFET电路的直流分析; 直流电路如图4.10所示。设MOSFET的参数为 VTN=2V，Kn=0.16mA/V2。试确定R1和R2使流过它们的电流为0.1ID。要求ID=0.5mA，采用标准电阻。;解：假设场效应管工作于放大区，则有;验证场效应管是否处于放大区;4.3.2 集成MOSFET电路的直流偏置;解：假设场效应管处于放大区，则有; 将N沟道增强型MOSFET像图4.12所示那样连接的电路应用较为广泛。图中， ;[例4.6]目的：计算含增强型负载电路的工作点。;4.4 MOSFET放大电路的交流电路;4.3.1 MOSFET放大电路的线性化分析原理 ;图4.17 共源极电路 ;1．跨导 gm 设MOSFET工作于放大区 ;;;;;[例4.9]目的：确定MOSFET的小信号电压增益。 电路如图4.17所示。设VGSQ=2.12V，VDD=5V，RD=2.5kΩ。场效应管参数为VTN=1V，Kn=0.80mA/V，λ=0.02V-1。该场效应管工作于放大区。求AV=vo/vi。;解： =0.8×(2.12-1)=1.0mA =5-1×2.5=2.5V 因此 2.5V =2.12-1=1.12V 场效应管确实工作于放大区。 跨导 ＝2×0.8×(2.12-1)=1.79mA/V 输出电阻 K ;由图4.21可求得输出电压为 ∥ 由于 ，所以小信号电压增益为 = ∥ =-1.79×(50∥2.5)=-4.26 ;说明： 由于MOSFET的跨导较小，因此与双极型晶体管放大电路相比，MOSFET放大电路的小信号电压增益也较小。 小信号电压增益为负，表明输出电压与输入电压的相位相差180°，即反相。 ;第四章MOSFET及其放大电路;4.4 MOSFET放大电路的三种基本组态;4.4.1 共源极放大器 - CS 1.共源极电路的基本结构 ;图4.24 直流负载线、临界点和静态工作点;小信号等效电路;输出电压 又 因此小信号电压增益为 ;[例4.10]目的：确定共源极放大器的小信号电压增益和输入、输出电阻。 电路如图4.22所示。已知VDD=10V，R1=70.9kΩ，R2=29.1k Ω ，RD=5k Ω 。场效应管参数VTN=1.5V，Kn=0.5mA/V2，λ=0.01V-1。设Rg=4k Ω 。求 Av=vo/vi，Ri和Ro;解：①直流计算 ;说明： 该例的结果表明，工作点位于直流负载