第五章线面和体缺陷.ppt

第5章 线、面和体缺陷;内 容 提 要;教学目的及要求;位错理论产生的背景 位错概念最初是在研究晶体滑移变形行为时提出来的。 变形现象：滑移变形 、宏观塑性变形。 难题： 塑性变形的微观过程是怎样的？ 晶体实际强度与理论强度存在巨大差异的原因？; 人们设想在晶体中会存在某些缺陷，这些缺陷可以使形变过程在局部地方发生、扩展，而不需要2个晶面作整体的相对刚性滑动。如果是这样，就有可能降低晶体滑移所需要的切应力。 为了符合塑性形变的特点，这些缺陷至少必需满足如下3个条件： 由这种缺陷运动而引起的滑移要符合滑移的基本特征 这种缺陷是易动的，按这种设想所估计的临界分切应力应和实测值相近，同时它不象点缺陷那样容易受热激活所影响。 能说明这些缺陷的来源和增殖。; 1934年G. L. Taylor、M. Polanyi和E. Orowan三人几乎同时分别提出了位错的模型。他们认为在晶体中可能存在着一种缺陷，称为位错(Dislocation)。这一假设成功地解释了晶体理论切变强度与实际强度值之间的不可思议的差值。;线、面、体缺陷的存在范围;第2节 线缺陷、滑移和塑性变形;临界切应力求解; 分切应力τCR的计算公式 ; Schmid因子最大的条件 当φ=45o时(?也为45o)，取向因子有最大值1/2，此时可得到最大分切应力。 当φ=90o或0o时?s＝∞，晶体不能沿滑移面密排滑移方向上产生滑移变形。; 硬取向及几何硬化 软取向及几何软化;二、晶体中的滑移及刃型位错;晶体在生长过程中产生位 在晶体生长过程中，由于温度梯度、浓度梯度、机械振动等的影响，使生长着的晶体偏转或弯曲，引起相邻晶块之间有位相差，形成位错；或由于相邻晶粒发生碰撞或因液流冲击，以及冷却时体积变化的热应力等原因会使晶体表面产生台阶或受力变形而形成位错。 局部应力集中和塑性变形形成位错 晶体内部的某些界面(如第二相质点、孪晶界、晶界等)和微裂纹附近往往存在应力集中，当此应力高至足以便该局部区域发生滑移时，就在该区域产生位错。晶体在形变过程中产生应力集中也会在局部区域形成位错。;塑性变形形成刃型位错的机??;3. 位错运动机制;位错运动导致的效应：晶体上下两部分之间永久错开一个原子单位，产生塑性变形，在晶体表面留下一个滑移台阶。所需要的切应力很小，远小于理论值。;4. 描述位错的几何量;描述因位错滑移运动而导致的原子位移量的方法：用环绕位错作通过无缺陷材料的回路(柏格斯回路)来获得。;问题：同一个刃型位错，观察位错的方向不同，得到的柏氏矢量不同。 解决办法：定义位错的单位切线矢量t;柏氏矢量的物理意义 柏氏矢量既表示位错的性质，又表示了位错区域点阵畸变总量的大小和方向。 柏氏矢量表示位错滑移后，晶体上、下部分产生相对位移的方向和大小，即滑移矢量。;5. 刃型位错的性质;位错周围点阵畸变是对称的，位错中心的畸变度最大，随着与中心距离的增加，畸变程度逐渐减小。一般把点阵畸变程度大于正常原子间距1/4的区域宽度定义为位错宽度，其值约为2~5个原子间距。位错线长度有数百个到数万个原子间距，与位错长度相比，位错宽度显得非常小，所以把位错看作是线缺陷。 ;位错线是晶体中已滑移区域和未滑移区域的边界线，因此不可能中断于晶体内部，它们或者中止于表面，或者中止于晶界和相界，或者与其他位错线相交，或者自行在晶体内形成一个封闭环。(据此可以检测位错的存在) 位错滑移矢量b垂有于位错线，而滑移面是位错线和滑移矢量b所构成的位移平面。 刃型位错线的形状可以是直线、折线或曲线。;三、其它类型的位错;1. 螺型位错及其构建模型;螺型位错具有以下特征 螺型位错是原子错排呈轴线对称的一种线缺陷 螺型位错的位错线(t)与滑移矢量(b)相平行，因此，其位错线只能是直线。 螺型位错线的移动方向与晶体滑移方向、应力矢量相垂直。 螺位错无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的 根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同，螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。;纯螺型位错的滑移面不是唯一的，凡是包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面；但实际上，滑移通常皂在那些原子密排面上进行。 螺型位错线周围的点阵发生了弹性畸变，但是，只有平行于位错线的切应变而无正应生，即不会引起体积膨张和收缩，且在垂直于位错线的平面投影上，看不到原子的位移，看不出有缺陷。 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。;螺型位错柏氏矢量的确定方法;2. 混合位错;3. 位错环及其形成;4. 位错的关键特征;位错可以在包含b和t的面(滑移面)上滑动，运动的结果都是在位错线滑动过的区域之