反应磁控溅射的机理与特性.docxVIP

反应磁控溅射的机理与特性 近代工程技术的发展越来越多地用到各种化合物薄膜，化合物薄膜约占全部薄膜材料的70%。制备化合物薄膜可以用各种化学气相沉积或物理气相沉积方法，过去，大多数化合物薄膜采用CVD方法制备。CVD 技术目前已经开发了等离子增强CVD，金属有机化合物CVD 等新工艺。但因CVD方法需要高温，材料来源又受到限制，有的还带毒性、腐蚀性，污染环境以及镀膜均匀性等问题，一定程度上限制了化合物膜的制备。  采用PVD方法制备介质薄膜和化合物薄膜，除了可采用射频溅射法外，还可以采用反应溅射法。即在溅射镀膜过程中，人为控制地引入某些活性反应气体，与溅射出来的靶材物质开展反应沉积在基片上，可获得不同于靶材物质的薄膜。例如在O2 中溅射反应而获得氧化物，在N2或NH3 中获得氮化物，在O2+N2 混合气体中得到氮氧化合物，在C2H2 或CH4 中得到碳化物，在硅烷中得到硅化物和在HF 或CF4 中得到氟化物等。目前从工业规模大生产化合物薄膜的需求来看，反应磁控溅射沉积技术具有明显的优势。  1、反应溅射的机理  反应溅射的过程如图1所示。通常的反应气体有氧、氮、甲烷、乙炔、一氧化碳等。在溅射过程中，根据反应气体压力的不同，反应过程可以发生在基片上或发生在阴极上（反应后以化合物形式迁移到基片上）。当反应气体的压力较高时，则可能在阴极溅射靶上发生反应，然后