第四章场效应管放大电路.pptVIP

图4-15 根据场效应管的特性曲线求gm 第29页，共56页，编辑于2022年，星期二 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。 一般为几个pF。 第30页，共56页，编辑于2022年，星期二 4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: 这部分功率将转化为热能, 使管子的温度升高。PDm决定于场效应管允许的最高温升。  2.漏、源间击穿电压BUDS 在场效应管输出特性曲线上, 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。 第31页，共56页，编辑于2022年，星期二  3. 栅源间击穿电压BUGS 结型场效应管正常工作时, 栅、源之间的PN结处于反向偏置状态, 若UGS过高, PN结将被击穿。  对于MOS场效应管, 由于栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层, 当UGS过高时, 可能将SiO2绝缘层击穿, 使栅极与衬底发生短路。这种击穿不同于PN结击穿, 而和电容器击穿的情况类似, 属于破坏性击穿, 即栅、 源间发生击穿, MOS管立即被损坏。  第32页，共56页，编辑于2022年，星期二 4.4 场效应管的特点 (1) 场效应管是一种电压控制器件, 即通过UGS来控制ID。 (2) 场效应管输入端几乎没有电流, 所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。 (3) 由于场效应管是利用多数载流子导电的, 因此, 与双极性三极管相比, 具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性较好而且存在零温度系数工作点等特性。 第33页，共56页，编辑于2022年，星期二 (4) 由于场效应管的结构对称, 有时漏极和源极可以互换使用, 而各项指标基本上不受影响, 因此应用时比较方便、 灵活。 (5) 场效应管的制造工艺简单, 有利于大规模集成。 (6) 由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω, 因此, 由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏, 而栅极上的SiO2绝缘层又很薄, 这将在栅极上产生很高的电场强度, 以致引起绝缘层击穿而损坏管子。 (7) 场效应管的跨导较小, 当组成放大电路时, 在相同的负载电阻下, 电压放大倍数比双极型三极管低。 第34页，共56页，编辑于2022年，星期二 图 4 – 16 场效应管的零温度系数工作点 第35页，共56页，编辑于2022年，星期二 图 4-17 栅极过压保护电路 第36页，共56页，编辑于2022年，星期二 4.5.1 共源极放大电路 图4-18　共源极放大电路原理电路 UDD + uO ? iD VT ~ + ? uI UGG RG S D G RD 与双极型三极管对应关系 b ? G , e ? S , c ? D 　　为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足： 　　图示电路为 N 沟道增强型 MOS 场效应管组成的放大电路。 (UT：开启电压) 4.5　场效应管放大电路 第37页，共56页，编辑于2022年，星期二 一、静态分析 UDD + uO ? iD VT ~ + ? uI UGG RG S D G RD 图 4-18　共源极放大电路原理电路 两种方法 近似估算法 图解法 (一) 近似估算法 　　MOS 管栅极电流为零，当 uI = 0 时 UGSQ = UGG 而 iD 与 uGS 之间近似满足 (当 uGS UT) 式中 IDO 为 uGS = 2UT 时的值。 则静态漏极电流为 第38页，共56页，编辑于2022年，星期二 (二) 图解法 图 4-19　用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 UDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = UDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 第39页，共56页，编辑于2022年，星期二 【例1】 电路如图所示, 场效应管为3DJG, 其输出特性曲线如图4 - 20所示。已知RD=2 kΩ, RS=1.2 kΩ,UDD=15V, 试用图解法确定该放大器的静态工作点。 第40页，共56页，编辑于2022年，星期二 第四章场效应管放大电路 第1页，共56页，编辑于2022年，星期二 场效应管 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类