第四章场效应管放大电路 (2).pptVIP

7. 低频跨导gm ：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。 4.2 MOS场效应管 8. 输出电阻rds 9. 极间电容 Cgs—栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容Csd —源极与漏极间电容 第30页，共52页，编辑于2022年，星期二 4.4 场效应管放大电路 场效应管偏置电路 三种基本放大电路 4.3 场效应管放大电路 FET小信号模型 第31页，共52页，编辑于2022年，星期二 一、场效应管偏置电路 1、自给偏置电路 场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS 自给偏置电路： 适合结型场效应管和耗尽型MOS管 外加偏置电路： 适合增强型MOS管 UGS = UG-US = -ISRS ≈ -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) G S D 基本自给偏置电路 4.3 场效应管放大电路 RS的作用：1.提供栅源直流偏压。2.提供直流负反馈，稳定静态工作点。RS越大，工作点越稳定。 第32页，共52页，编辑于2022年，星期二 偏置电路 改进型自给偏置电路 大电阻（M?)， 减小R1、R2对放大电 路输入电阻的影响 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 4.3 场效应管放大电路 1、自给偏置电路 R1R2提供一个正偏栅压UG 第33页，共52页，编辑于2022年，星期二 偏置电路 2、外加偏置电路 -IDRS R1和R2提供一个固定栅压 UGS = UG-US 注：要求UGUS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能 正常工作 4.3 场效应管放大电路 第34页，共52页，编辑于2022年，星期二 二、场效应管的低频小信号模型 iD 由输出特性： iD=f(vGS,vDS) 4.3 场效应管放大电路 S D gds vgs + - + - vds G id gmvgs 第35页，共52页，编辑于2022年，星期二 三、三种基本放大电路 1、共源放大电路 （1） 直流分析 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 4.3 场效应管放大电路 第36页，共52页，编辑于2022年，星期二 基本放大电路 Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 一般rds较大可忽略 = - gmUgsRD Ugs + gmUgsRs = - gmRD 1 + gmRs RD=RD//RL 4.3 场效应管放大电路 （2） 动态分析 ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro ≈ RD ri ro 第37页，共52页，编辑于2022年，星期二 第1页，共52页，编辑于2022年，星期二 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET). 主要内容: (1)结型场效应管的结构及工作原理 (2)金属-氧化物-半导体场效应管的结构及工作原理 (3)场效应管放大电路的静态及动态性能分析 学习指导 第2页，共52页，编辑于2022年，星期二 学习目标： 1.?正确理解各种场效应管的工作原理 2.熟练掌握各种场效应管的外特性及主要参数 3.熟练掌握共源、共漏放大电路的工作原理及直流偏置 4.会用场效应管小信号模型分析法求解共源、共漏放大电路的电压增益、输入电阻和输出电阻　 第3页，共52页，编辑于2022年，星期二 学习方法： 学习本章内容时，应特别注意使用比较和归纳的方法： 1.与三极管及其放大电路进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数、小信号模型等的比较；两种器件组成的放大电路的直流偏置电路及静态、动态分析方法的比较；共射与共源、共集与共漏等放大电路性能的比较）。 2.不同类型（结型与绝缘栅型）、不同沟道的各种场效应管之间的比较与归纳（工作原理、电压极性、主要参数的比较等）。 第4页，共52页，编辑于2022年，星期二 概 述 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单极型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管