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三极管饱和问题总结 .在实际工作中，常用Ib*B二V/R作为判断临界饱和的 条件。根据Ib*B二V/R算出的lb值，只是使晶体管进入了 初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能到达真 正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 .集电极电阻 越大越容易饱和。 .饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之 控制。 问题：基极电流到达多少时三极管饱和？ 解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、B值 有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时 电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的B值（假定B =100） 5/1000. 05hiA=50hA,那么基极电流大于50 u A就可 以饱和。 对于9013、9012而言，饱和时Vee小于0. 6V,Vbe小于 1.2V0下面是9013的特性表： 问题：如何判断饱和？ 判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS,然后再根 据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大 于基级最大饱和电流，那么可判断电路此时处于饱和状态。 饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在 且越大 就越容易管子饱和；2.基集电流比拟大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较C电压高的情况。 影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和；2. 管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的 大小。 饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集 电极的电压为0. 3左右，基极为0. 7左右（假设e极接地）。 谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路 的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R,那么集 -射极电压Vee二VCCTb*hFE*R,随着lb的增大，Vee减小, 当VceVc,但Vb〉Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还 是放大倍数，有的管子Vb〉Vc时还能保持相当高的放大倍数。 例如：有的管子将Ic/Ib〈10定义为饱和，Ic/Ib〈l应该属于 深饱和了。 从晶体管特性曲线看饱和问题：我前面说过：“谈论饱 和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释J 以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vee仅画 到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了 4. 0V。 如果电源电压为V,负载电阻为R,那么Vee与Ie受以下 关系式的约束：Ie = （V_Vce） /R 在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线, 斜率是-1/R,X轴上的截距是电源电压V,Y轴上的截距是 V/R （也就是前面NE5532第2帖说的“Ie （max）是指在假 定e、c极短路的情况下的Ie极限”）。这条斜线称为“静态 负载线“（以下简称负载线）。各个基极电流lb值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见 下列图： 图中假定电源电压为4V,绿色的斜线是负载电阻为80欧 姆的负载线,V/R=50MA,图中标出了 1b分别等于0.1、0.2、 0.3、0.4、0.6、0 0mA 的工作点 A、B、C、D、E、F.据此在 右侧作出了 Ic与lb的关系曲线。根据这个曲线，就比拟清 楚地看出“饱和”的含义了。曲线的绿色段是线性放大区, Ic随lb的增大几乎成线性地快速上升，可以看出B值约为 200o兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。红色段就几乎变 成水平了，这就是“饱和”.实际上，饱和是一个渐变的过 程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作 中，常用Ib*B二V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是 假想绿色段继续向上延伸，与Ic二50MA的水平线相交，交点 对应的lb值就是临界饱和的lb值。图中可见该值约为 0. 25mAo 由图可见，根据Ib*B二V/R算出的lb值，只是使晶体 管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才 能到达真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 图中还画出了负载电阻为200欧姆时的负载线。可以看 出，对应于Ib=0. 1mA,负载电阻为80欧姆时，晶体管是处于 线性放大区，而负载电阻200欧姆时，已经接近进入饱和区 To负载电阻由大到小变化，负载线以Vce=4.0为圆心呈扇 状向上展开。负载电阻越小，进入饱和状态所需要的lb值 就越大，饱和状态下的C-E压降也越大。在负载电阻特别小 的电路，例如高频谐振放大器，集电极负载是电感线圈，直 流电阻接近0,负载线几乎成90度向上伸展（如图中的红色 负载线）。这样的电路中，晶体管直到烧毁了也进入不了饱 和状态。以上所说的“负载线”，都是指直流静态负载线；“饱 和”都是指直流静态饱和。 用三极管需要考虑的问题： 1）耐压够不够2）负载电流够不够大 3）速度够不够快（有时却是要慢速）） B极控制电流够不够 5）有时可能考虑功率问题6）有时要考虑漏电流问题（能否