用磁阻传感器测量地磁场解读.docxVIP

实验三十七 用磁阻传感器测量地磁场 地磁场的数值比较小，约10?5 T 量级，但在直流磁场测量，特别是弱磁场测量中，往往需要知道其数值，并设法消除其影响，地磁场作为一种天然磁源，在军事、工业、医学、探矿等科研中也有着重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测定地磁场磁感应强度及地磁场磁感应强度的水平分量和垂直分量；测量地磁场的磁倾角，从而掌握磁阻传感器的特性及测量地磁场的一种重要方法。 【实验目的】 掌握磁阻传感器的特性和定标方法。 掌握地磁场的测量方法。 【实验原理】 物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。 HMC1021Z 型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁镍合金)制成一维磁阻微电路集成芯片 (二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)。它利用通常的半导体工艺，将铁镍合金薄膜附着在硅片上，如图1 所示。薄膜的电阻率?(? ) 依赖于磁化强度M 和电流I 方向间的 夹角? ，具有以下关系式 ?(? ) ? ? ? ? (? ∥ ? ? ) cos 2 ? (1) ? 其中? 、? ∥ ? 分别是电流I 平行于M 和垂直于M 时的电阻率。当沿着铁镍合金带的长 度方向通以一定的直流电流，而垂直于电流方向施加一个外界磁场时，合金带自身的阻值会生较大的变化，利用合金带阻值这一变化，可以测量磁场大小和方向。同时制作时还在硅片上设计了两条铝制电流带，一条是置位与复位带，该传感器遇到强磁场感应时，将产生磁畴饱和现象，也可以用来置位或复位极性；另一条是偏置磁场带，用于产生一个偏置磁场，补偿环境磁场中的弱磁场部分(当外加磁场较弱时，磁阻相对变化值与磁感应强度成平方关系)， 使磁阻传感器输出显示线性关系。 HMC1021Z 磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器，它能测量与管脚平行方向的磁场。传感器由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡电桥，非平衡电桥输出部分接集成运算放大器，将信号放大输出。传感器内部结构如图2 所示，图中由于适当配置的四个磁电阻电流 方向不相同，当存在外界磁场时，引起电阻值变化有增有减。因而输出电压U out 可以用下式 表示为  U out  ? ? ?R ? ?V ? R ?? ? ? R ?  (2) Vb Vb 偏置磁场 电流 Ｍ θ Ｉ 铝合金带 外加磁场 △ R R R+ - △ R 外加磁场 + – + Vout R △ R R-△ 玻莫合金薄膜 R 图 1 磁阻传感器的构造示意图 图 2 磁阻传感器内的惠斯通电桥 对于一定的工作电压，如V ? 6.00V ，HMC1021Z 磁阻传感器输出电压U 与外界磁 b out 场的磁感应强度成正比关系， U ? U ? KB (3) out 0 上式中， K 为传感器的灵敏度， B 为待测磁感应强度。U 为外加磁场为零时传感器的输出 0 量。 由于亥姆霍兹线圈的特点是能在其轴线中心点附近产生较宽范围的均匀磁场区，所以常用作弱磁场的标准磁场。亥姆霍兹线圈公共轴线中心点位置的磁感应强度为 B ? ? NI 8 0 ? 44.96 ?10?4 I (4) R 53 / 2 上式中每个线圈匝数 N ? 500 匝；亥姆霍兹线圈的平均半径 R ? 10cm ；真空磁导率 ? ? 4? ?10 ?7 N / A2 ； I 为线圈流过的电流，单位A （安培）； B 为磁感应强度，单位T 。 0 【实验仪器】 测量地磁场装置如图3 所示。它主要包括底座、转轴，带角刻度的转盘、磁阻传感器的引线、亥姆霍磁线圈、地磁场测定仪控制主机(包括数字式电压表、5V 直流电源等)。 2 2 2 5 1 3 4 1 、恒流源 2 、数字电压表 3 、 HMC1021Z 磁阻传感器输入输出引线 图 3 4F、D亥-姆H霍M磁C线-圈2 型磁阻传5感、刻器度与盘 地磁场实验仪 恒流源；2．数字电压表；3．磁阻传感器输入输出引线； 4．亥姆霍兹线圈；5．带角刻度的转盘。 【实验内容与步骤】 用亥姆霍磁线圈产生磁场作为已知量，测量磁阻传感器的灵敏度K 。 将亥姆霍兹线圈与直流电源连接好。 使磁阻传感器的管脚和磁感应强度的方向平行，即转盘刻度调节到角度? ? 0 。调节底板上螺丝使转盘至水平（用水准仪指示）。 按一下复位键，调节电流到零，电压调零。 依次调节电流到 10 mA ，20 mA ，30 mA ，40 mA ，50 mA ，60 mA ，分别记录下正 向电压读数U 。 正 调节电流到零，电流换向，按一下复位键，电压调零，重复步骤4），记录下反向电 压读数U 。测正向和反向两次，目的是消除