微电子工艺第2章 外延（新）.pdfVIP

1 第2章外延 2.1 概述 2.2 气相外延 2.3 分子束外延 2.4 其它外延 2.5 外延层缺陷及检测 2 2.1 概述 外延层 2.1.1 什么是外延 衬底  “外延”一词来自于希腊文Epitaxy，是指“在……上排列” 外延工艺，指在晶体上用化学或物理方法规则地再排列所需晶 体材料。 外延层与衬底晶向相同，但掺杂类型、电阻率、材料可以不同。 - + GaAs/Si 如n /n -Si，n/p-Si， 3 2.1.2 外延工艺种类 按工艺方法划分： 气相外延（VPE)， 液相外延(LVP)， 异质外延外延层与衬底的相容性： 固相外延(SPE)， 1、两者在外延温度不发生化学反应、不互溶； 分子束外延（MBE) 2、两者热力学匹配； 按材料划分： 3、两者晶格匹配。 同质外延，又称为均匀外延 a a 失配率： f  100% 异质外延，又称为非均匀外延 a 4 2.1.2 外延工艺种类 按温度划分： 高温外延(1000℃ 以上) ；低温外延(1000℃ 以下) ；变温外延，先低温下 成核，再高温下生长外延层 按电阻率划分： 正外延，低阻衬底上外延高阻层；反外延，高阻衬底上外延低阻层 按外延层划分: 普通外延，选择外延，多层外延 P-Si 其它划分方法： 按结构划分；按外延层厚度划分等 5 2.1.3 外延的用途 外延双极型晶体管 高的集电结击穿电压 低的集电极串联电阻 + n 埋层 n-Si外延层 SiO2 + p 隔离墙 双极型电路的pn结隔离 利用外延技术的pn结隔离是早期 双极型集成电路常采用的电隔离 方法。 P-Si衬底 隔离岛 6 2.1.3 外