高电源抑制的基准源的设计方案.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 高电源抑制的基准源的设计方案 电子镇流器的供电方式为半桥输出接稳压管给芯片供电，其输出电压为高压正弦波（50～100 kHz），加之芯片内数字部分的干扰，这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR（Power Supply Rejection，电源抑制）有较大要求。本文从今角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进，采纳LDO与基准的级联设计来增加其PSR。 1 电路结构  1.1 基准  目前的基准可以有多种实现方案：混合电阻，Buck voltage transfer cell，但是修调简单，不宜工业化。本设计采纳Brokaw基准，其较易实现高压基准输出，并且其温漂、PSR及启动特性均较好。本文采纳的改进的Brokaw基准的结构如图1所示。   对此的分析：   三极管的输出电流公式：    其中I是三极管射极电流，Is与射极面积成正比，n为一常数，取1。这里，取VQC2：VQC1=8：1，因此Is2=8xIs1，又I1=I2，分别代入（1）并相除，整理得：   其中Vbe1是负温度系数，Vt是正温度系数，RC2与RC1是同类电阻，温度系数相抵消，选择合理的RC2／RC1，就可以得到一阶补偿为0的基准电压，可以很好的满意本芯片