ITO膜制作方面详细.pdfVIP

ITO 薄膜性能及制成技术的发展 一、 前言 　　 真正进行透明导电薄膜材料的研究工作还是 19 世纪末，当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄 膜。经历一段很长时间后的第二次世界大战期间，关于透明导电材料的研究才进入一个新的时期，于是开 发了由宽禁带的 n型简并半导体 SnO2 材料 ，主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。在 1950 年，第二种透明半 导体氧化物 In2O 3 首次被制成，特别是在 In2 O3 里掺入锡 以后，使这种材料在透明导电薄膜方面得到了普遍 的应用，并具有广阔的应用前景。 　　 掺锡氧化铟（即 Indium Tin Oxide, 简称 ITO ）材料是一种 n型半导体材料，由于具有高的 导电率、高的 可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性 ，因此它是液晶显示器（ LCD ）、等离子显示器（ PDP ）、电 致发光显示器（ EL/OLED ）、 触摸屏（ Touch Panel ）、太阳能电池以及其它电子仪表的透明电极最常用 的材料。 　　 二、 ITO 薄膜的基本性能 　　 1、 ITO薄膜的基本性能 　　 如图 1 所示 ITO （In O :SnO =9:1 ）的微观结构， In O 里掺入 Sn 后，Sn 元素可以代替 In O 晶格中的 In 2 3 2 2 3 2 3 元素而以 SnO 2 的形式存在，因为 In2 O3 中的 In 元素是三价，形成 SnO 2 时将贡献一个电子到导带上，同时在 一定的缺氧状态下产生氧空穴， 形成 102 0 至 1021cm -3 的载流子浓度和 10 至 30cm 2/vs 的迁移率。 这个机理 提供了在 10-4 ? .cm 数量级的低薄膜电阻率，所以 ITO 薄膜具有半导体的导电性能。 　　 ITO 是一种宽能带薄膜材料，其带隙为 3.5-4.3ev 。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为 3.75ev ，相当 于 330nm 的波长，因此 紫外光区 ITO 薄膜的光穿透率极低 。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象 而产生反射，所以 近红外区 ITO 薄膜的光透过率也是很低 的，但 可见光区 ITO 薄膜的透过率非常好 ，由图 2 可知。 　　 由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化学性能， ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较 高的光透过率。 　　 2 、影响 ITO薄膜导电性能的几个因素 　　 ITO 薄膜的 面电阻（ R□）、膜厚（ d ）和电阻率（ ρ）三者之间是相互关联的，下面给出了这三者之间 的计算公式。即 　　 R □= ρ/ d （1 ） 　　 由公式（ 1 ）可以看出，为了获得不同面电阻（ R □）的ITO 薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻 率。一般来讲，制备 ITO 薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节 薄膜沉积时的沉积速率和 沉积的时间来制取所需要膜层的厚度 ，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。 　　 而 ITO 薄膜的电阻率（ ρ）的大小则是 ITO 薄膜制备工艺的关键， 电阻率（ ρ）也是衡量 ITO 薄膜性能的 一项重要指标 。公式（ 2 ）给出了影响薄膜电阻率（ ρ）的几种主要因素 2 ρ=m*/ne τ (2) 　　 式（ 2 ）中， n、 τ分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当 n 、 τ越大，薄膜的电阻率（ ρ）就越小，反 之亦然。而载流子浓度（ n ）与 ITO 薄膜材料的组成有关，即组成 ITO 薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为 了得到较高的载流子浓度（ n ）可以通过调节 ITO 沉积材料的锡含量和氧含量来实现 ;而载流子迁移率（ τ） 则与 ITO 薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（ τ）可以合理