第六章 二元族化合物的制备及其特征.pptVIP

第1页，共25页，编辑于2022年，星期一 回忆: 硅的晶体结构;如何形成 6-1-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体结构 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体: 闪锌矿结构 两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套构而成. 第2页，共25页，编辑于2022年，星期一 闪锌矿结构 立方晶系 面心立方格子 GaAs 第3页，共25页，编辑于2022年，星期一 纤锌矿晶体结构 六方晶系 简单六方格子 GaN,InN,BN 第4页，共25页，编辑于2022年，星期一 6-1-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 锗和硅的能带结构 Ge 0.67 eV Si 1.12 eV 1.GaAs的能带结构 第5页，共25页，编辑于2022年，星期一 III-V族化合物半导体 GaAs 1.43 eV 第6页，共25页，编辑于2022年，星期一 GaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构相比，特点如下： 1. GaAs 的导带极小值与价带极大值都在K＝0，这种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、 Ge 的极大和极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃迁型。 2. GaAs 在100方向上具有双能谷能带结构，即除k＝0处有极小值外，在100方向边缘上存在另一个导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因此电子具有主次两个能谷。 3. GaAs的最高工作温度450℃.硅: