模拟电子技术教材配套教学课件（完整版）（文字可修改版）.ppt

全 册 课 件 延迟符 模拟电子技术课件（完整版） 第1章 半导体器件 第2章 基本放大器 第3章 负反馈放大器 第4章 模拟集成电路 第5章 低频功率放大器 第6章 信号产生电路 第7章 直流稳压电源 教学目的  了解半导体的导电特性。  理解PN结的形成机理，掌握PN结的主要特性。  理解BJT和FET的工作原理，掌握其主要特性及参数。 第1章 半导体器件 1.1 半导体 1.2 PN结与二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 第1章 半导体器件 1.1 半导体 1.1.1 本征半导体 1.1.2 掺杂半导体 1.1 半导体 在电子技术领域，常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。它们都是四价元素，在元素表中分别是14号和32号元素。某一元素的导电特性主要与其价电子有关，因此，四价原子的结构图如图所示。 四价原子结构简化图 1.1.1 本征半导体 1．本征半导体的晶体结构 纯净而且结构完整的半导体称为本征半导体。 如图（a）所示的现象称为价电子的共有化运动。 图（b）所示，是共价键示意图。 1.1.1 本征半导体 （a）价电子的共有化运动 （b）共价键示意图 图 价电子的共有化及共价键 1.1.1 本征半导体 每个硅或锗原子都有四个价电子，它们可以与相邻的四个原子形成完整的共价键。从而使半导体的所有原子通过共价键的作用，紧密地结合在一起，形成一个坚固的晶体，如图所示。 本征半导体的晶体结构示意图 1.1.1 本征半导体 2．本征半导体的导电特性 本征半导体中有自由电子和空穴两种载流子，如图所示。图中的空心圈代表空穴，键外的黑点代表自由电子。 本征半导体的自由电子和空穴 1.1.2 掺杂半导体 1．N型半导体 在本征半导体中掺入微量的五价元素，如磷、砷、锑等，就形成N型半导体。由于掺入的五价元素微量，所以，半导体的晶体结构基本不变，只是在个别的位置上，某个硅（或锗）原子被五价原子取代，如图所示。 N型半导体晶体结构示意图 2．P型半导体 在本征半导体中掺入微量的三价元素，如硼、铝、铟等，就形成P型半导体。由于掺入的三价元素微量，所以，半导体的晶体结构基本不变，只是在个别的位置上，某个硅（或锗）原子被三价原子取代，如图所示。 P型半导体晶体结构示意图 1.1.2 掺杂半导体 1.1.2 掺杂半导体 3．掺杂半导体的温度特性 掺杂半导体的多数载流子浓度受温度的影响很小，主要由掺杂浓度决定。 掺杂半导体中的少数载流子完全由热激发产生。温度发生变化，热激发与复合的程度都会随之变化，因此，掺杂半导体中的少子浓度受温度的影响很大。 1.2 PN结与二极管 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的偏置方式 1.2.3 PN结的单向导电特性 1.2.4 PN结的击穿特性 1.2.5 PN结的电容效应 1.2.6 常用二极管 1.2.7 其他二极管 1.2.1 PN结的形成 当P型半导体与N型半导体紧密地结合在一起时，由于在交界面两侧，空穴与自由电子都存在着很大的浓度差。因此，两者都必将产生扩散运动，P区的多子空穴向N区扩散，并且与N区的自由电子复合；N区的多子自由电子向P区扩散，并且与P区的空穴复合，如图1（a）所示。 1.2.1 PN结的形成 当自建电场力等于浓度差产生的扩散力时，多子的扩散被阻止。空间电荷的数量不再变化，空间电荷区的宽度也不再变化，这样PN结便形成了，如图1（b）所示。 图1 PN结的形成 1.2.2 PN结的偏置方式 由于PN结的耗尽层中几乎无载流子，所以呈现出很大的电阻。当PN结接有外加电压时，外加电压几乎全部降落在耗尽层两端。 若外加电压使PN结的P区电位高于N区电位，则称PN结被正向偏置，简称PN结正偏。其端电压称为正向偏置电压，简称正偏压或正向电压。这种偏置方式也称做：给PN结加正向电压。 1.2.2 PN结的偏置方式 若外加电压使PN结的P区电位低于N区电位，则称PN结被反向偏置，简称PN结反偏。其端电压称为反向偏置电压，简称反偏压或反向电压。这种偏置方式也称做：给PN结加反向电压。 若外加电压使PN结的P区电位和N区电位相等，则称PN结被零偏置，简称PN结零偏。这种情况，相当于没有给PN结加电压。 1.2.3 PN结的单向导电特性 PN结的偏置方式不同，表现出的特性也不同。 1．PN结的正偏特性，如图2（a）所示。 2．PN结的反偏特性, 如图2（b）所示。 图2