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* R：射程（range） 离子在靶内的总路线长度 Rp：投影射程（projected range） R在入射方向上的投影 ?Rp：标准偏差（Straggling），投影射程的平均偏差 ?R?：横向标准偏差（Traverse straggling）, 垂直于入射方向平面上的标准偏差。 射程分布：平均投影射程Rp，标准偏差?Rp，横向标准偏差?R? 非晶靶中注入离子的浓度分布 第十九页，共四十一页。 * ?Rp ?R? 高斯分布 Rp Log（离子浓度） 离子入射 z 注入离子的二维分布图 第二十页，共四十一页。 * 投影射程Rp: Rp DRp DR? Rp DRp DR? Rp DRp DR? 第二十一页，共四十一页。 * 注入离子的浓度分布 在忽略横向离散效应和一级近似下，注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式 200 keV 注入 元素 原子质量 Sb 122 As 74 P 31 B 11 Cp 第二十二页，共四十一页。 * Q：为离子注入剂量（Dose）, 单位为 ions/cm2，可以从测量积分束流得到 由 ， 可以得到： ? 第二十三页，共四十一页。 * Q可以精确控制 A为注入面积，I为硅片背面搜集到的束流（Farady Cup），t为积分时间，q为离子所带的电荷。 例如：当A＝20×20 cm2，I＝0.1 mA时， 而对于一般NMOS的VT调节的剂量为：B＋ 1-5×1012 cm-2注入时间为~30分钟 对比一下：如果采用预淀积扩散（1000 ?C），表面浓度为固溶度1020 cm-3时， D～10-14 cm2/s 每秒剂量达1013/cm2 I＝0.01 mA～mA 第二十四页，共四十一页。 * 常用注入离子在不同注入能量下的特性 平均投影射程Rp 标准偏差?Rp 第二十五页，共四十一页。 * 已知注入离子的能量和剂量， 估算注入离子在靶中的 浓度和结深 问题：140 keV的B+离子注入到直径为150 mm的硅靶中。 注入 剂量Q=5×10 14/cm2（衬底浓度2×1016 /cm3） 1) 试估算注入离子的投影射程，投影射程标准偏差、 峰 值浓度、结深 2) 如注入时间为1分钟，估算所需束流。 第二十六页，共四十一页。 * 【解】1) 从查图或查表 得 Rp=4289 ?=0.43 mm ?Rp=855 ?=0.086 mm 峰值浓度 Cp=0.4Q/?Rp=0.4×5×1014/(0.086×10-4)=2.34×1019 cm-3 衬底浓度CB＝2×1016 cm-3 ?xj=0.734 mm 2) 注入的总离子数 Q＝掺杂剂量×硅片面积 ＝5×1014×[?(15/2)2]=8.8×1016 离子数 I＝qQ/t ＝[(1.6×10－19C)(8.8×1016)]/60 sec=0.23 mA 第二十七页，共四十一页。 * 注入离子的真实分布 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 当轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子散射得更深。 第二十八页，共四十一页。 * 横向效应 横向效应指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况 横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度。 ?R? （μm） 第二十九页，共四十一页。 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集成电路工艺原理 第七章 离子注入原理 (上) INFO130024.01 集