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光电子技术复习专题二;第三章 如何正确理解光电二极管的全电流方程？;当光辐射作用到如图3-1（b）所示的光电二极管上时， ;如何正确理解光电二极管的灵敏度： ; 显然，当某波长λ的辐射作用于光电二极管时，其电流灵敏度为与材料有关的常数，表征光电二极管的光电转换特性的线性关系。必须指出，电流灵敏度与入射辐射波长λ的关系是复杂的，定义光电二极管的电流灵敏度时通常定义其峰值响应波长的电流灵敏度为光电二极管的电流灵敏度。在式（3-3）中，表面上看它与波长λ成正比，但是，材料的吸收系数α还隐含着与入射辐射波长的关系。因此，常把光电二极管的电流灵敏度与波长的关系曲线称为光谱响应。 ;光电二极管的噪声 ;; 噪声 ;;10;11;12;;;;;热敏电阻; 2. 热敏电阻的原理、结构及材料 ; 一般金属的能带结构外层无禁带，自由电子密度很大，以致外界光作用引起的自由电子密度相对变化较半导体而言可忽略不计。相反，吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子作定向运动。因此，当光作用于金属元件使其温度升高，其电阻值还略有增加，也即由金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数，而由半导体材料组成的热敏电阻具有负温度特性。 图5-1所示分别为半导体材料和金属材料（白金）的温度特性曲线。白金的电阻温度系数为正值，大约为±0.37%左右；将金属氧化物（如铜的氧化物，锰-镍-钴的氧化物）的粉末用黏合剂黏合后，涂敷在瓷管或玻璃上烘干，即构成半导体材料的热敏电阻。半导体材料热敏电阻的温度系数为负值，大约为-3%~-6%，约为白金的10倍以上。所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属。 ;较大的温升）粘合在导热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接，再把衬底同一个热容很大、导热性能良好的金属相连构成热敏电阻。; 热敏电阻的参数 ;对于正温度系数的热敏电阻有 ;对于正温度系数的热敏电阻温度系数为 ;（2）热敏电阻阻值变化量 ;热释电效应的原理;5.3.1 热释电器件的基本工作原理 ;位移电流Id;;;;;;;;;;;;;;;;液晶显示器（LCD）;实用中是用30多种单质???晶组成混合液晶。;一、线偏振光在向列液晶中的传播;线偏振光正入射P型液晶材料，如果其偏振方向与光轴平行或垂直，则它的偏振方向和传播方向都不改变。;TN-LCD的工作原理;TN-LCD的电光特性;TN-LCD的液晶分子的扭曲角为90°，电光特性曲线不够陡峭。在用矩阵寻址法驱动时，有明显的交叉效应。 ;对STN-LCD的有色背景进行补偿，实现黑白显示;有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD）;LCD的特点和应用;二、有机电致发光器件－OLED;ETL：电子传输层 EML：发光层 HTL：空穴传输层;OLED是一种高亮度、宽视角、全固化的主动发光型显示器件。主要优点： ;AC-PDP;DMD是带有集成微镜部件的微电子机械光调制器，由百万个方形微镜（如16×16μm2）组成二维阵列。 ;DMD芯片;为了实现彩色显示，DLP投影机有三片式、单片式、两片式等不同档次的产品。;DLP投影显示的技术优势;可分为两大类： *光电发射型摄像管 利用外光电效应 *视像管 利用内光电效应;光电发射型摄像管;氧化铅视像管结构与工作原理;;电荷耦合器件;电荷耦合摄像器件 ;（1）、 CCD的基本结构包括：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构成CCD的基本单元是MOS电容。; 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。;CCD图像传感器的不足： ⒈驱动电路与信号处理电路难与CCD单片集 成，图像系统为多芯片系统； ⒉电荷耦合方式对转移效率要求近乎苛刻； ⒊时钟脉冲复杂，需要相对高的工作电压； ⒋图像信息不能随机读取。; CMOS图像传感器的特色;一.CMOS图像传感器结构;像元结构 ：;光栅型（PG-APS）：读出噪声小，目前已达到5个均方根电子。用于高性能科学成像和低光照成像。;保安监控:大量安装的电子眼,且CMOS摄 像机可做到纽扣大小,用于隐型摄像;;用于需要高速更新的影像应用领域：航 天、核试验、快速运动、瞬态过程等。;CMOS摄像器件 ;1 CMOS像素结构 ;MOS 摄像器件的工作原理：;有源像素结构 ;光栅型有源像素结构（PG－APS）; 外界光照射像素阵列，产生信号电荷，行选通逻辑单元根据需要，选通相