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均匀电场中其他的击穿过程简会计学第二节 均匀电场中气体的击穿过程第1页/共24页电子崩的形成过程汤逊理论流注理论所谓均匀电场，就是在电场中，电场强度处处相等，如两个平行平板电极的电场（当然还要考虑边缘效应），如图所示。平行平板电极的电场第2页/共24页气体放电的现象与发展规律与气体种类、气压大小、气隙中的电场形式、电源容量等一系列因素有关。但无论何种气体放电都一定有一个电子碰撞游离导致电子崩的阶段，它在所加电压达到一定数值时出现。一、 较小时的气体放电过程第3页/共24页*****气体放电的汤逊理论*****1、电子崩的形成及发展规律各种高能辐射线（外界游离因素）引起：阴极表面光电离气体的空间光电离 因此，空气中存在一定浓度的带电质点。电子崩的产生第4页/共24页 外界游离因素在阴极附近产生了一个初始电子，如果空间电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞游离，产生一个新的电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产生更多电子。第5页/共24页 依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流被称为电子崩。第6页/共24页 （1）碰撞游离系数—— α：一个电子沿着电场方向走向阳极1cm路程中所发生的平均碰撞游离次数。 α与气体的种类、相对密度和电场强度有关。 （2）阴极表面游离系数—— γ(gama)：一个正离子撞击阴极表面时从阴极平均逸出的自由电子数。 （3）正离子碰撞游离系数—— β：一个正离子沿电场方向行进的过程中，在1cm路程中发生的平均碰撞游离的次数。β值极小，在分析时可予忽略。在电场作用下，正离子向阴极运动，由于它的平均自由行程较短，不易积累动能，所以很难使气体分子发生碰撞游离。第7页/共24页初始电子数为n0x处时，电子数已增加到为n，n个电子在dx的距离中又会产生dn个新电子两边积分，考虑x=0，n=n0，得均匀电场中，a值不随x变化n0=1，x=d得：到达阳极的电子数为：正离子数即一个电子走完全程后到达阳极时电子数为 个。新增电子数为第8页/共24页2、表面游离过程及自持放电电子崩进入阳极中和，正离子撞击阴极表面出来的电子与正离子中和，表面未游离出新电子来发展电子崩，如果此时去掉外界游离因素，放电停止。须依赖外界游离因素才能维持的放电为非自持放电。外界游离因素消失，放电会停止。若气隙上电场足够大，初始电子崩中的正离子在阴极上产生出来的新电子可以弥补原来发展电子崩的电子，即使没有外界游离因素的作用，放电也不会停止，这就变成了自持放电。电子崩可仅由外电场的作用而自行维持和发展。第9页/共24页自持放电的条件：只要至少撞击出一个自由电子，放电便可转入自持。均匀场：击穿电压Ub起始电压U0（非自持→自持）不均匀场：电晕起始电压，气隙仍绝缘，UbU0第10页/共24页如果自持放电条件满足时，会形成下图的闭环部分：第11页/共24页3、巴申定律 当气体和电极材料一定时，气隙的击穿电压是气体的相对密度?和气隙距离 d 乘积的函数，即： 上式所示规律在汤逊理论提出之前就由物理学家巴申从实验中得出，称为巴申定律。图1-7均匀电场中空气的巴申曲线第12页/共24页即对应于某一 ?d ，空气间隙的击穿电压最低。即Ub具有极小值。图1-7均匀电场中空气的巴申曲线第13页/共24页由巴申曲线可知，当极间距离d不变时，提高气压或降低气压到真空，都可以提高气隙的击穿电压，这一概念具有十分重要的实用意义。SF6断路器真空断路器低气压：辉光放电大气压：看见放电通道：细、明亮、分支放电外形大气压下放电时间比汤逊计算的更短放电时间汤逊：靠电子碰撞金属表面来自持放电，金属不同逸出功不同，电场能量不同，放电电压与材料有关。大气压：击穿电压与阴极材料无关。阴极材料第14页/共24页4、汤逊理论的不足 汤逊理论? d较小时在实验的基础上建立的，当? d 较大时（ ? d 0.26cm）此理论不适用了，一些实验现象无法解释：二、 较大时的气体放电过程第15页/共24页*****气体放电的流注理论*****流注的形成过程流注的条件（自持放电的条件/间隙击穿的条件）空间电荷对电场的畸变第16页/共24页(a)电子崩形状似圆形锥体。(b)空间电荷浓度分布极不均匀，电子崩头部聚集大部分正离子和全部自由电子；电子崩内部的电场削弱了；(c)空间电荷形成的电场。正离子与自由电子接触地方电场急剧降低。(d) 电子崩头部电场急剧增大，正离子与电子接触部分的电场被减弱，电子崩尾部电场略微加强。电场加强的地方容易发生激发现象，反激发时释放大量光子；减弱的部分易发生复合，释放光子，引发新的空间光游离辐射源。第17页/共24页1、电子崩空间电荷对电场的畸变作用电子崩头部聚集大部分正离子和全部电