第五章 复合发光.ppt

编辑ppt 编辑ppt 第五章 复合发光 5.1 半导体中的缺陷 5.2 直接带与间接带半导体 5.3 半导体中复合发光的分类及各自的特点 复合发光可直接由带间的电子和空穴的复合而产生，也可通过发光中心复合而产生 复合发光的发光中心可由晶体自身的缺陷、掺入的杂质以及杂质的聚合所形成 复合发光的分类 带间复合 边缘发射 激子复合 通过杂质中心的复合 通过施主—受主对的复合 通过等电子陷阱的复合 按照电子跃迁的方式分类 复合发光 直接带 间接带 简化的能带模型 2、半导体能带结构及光学跃迁 本征吸收 价带电子吸收一个光子跃迁到导带 光子的能量应不小于材料的禁带 能量守恒 动量守恒 忽略光子的动量 光子的波数大约是105cm-1 电子的波数大约为108cm-1 直接带半导体 价带顶与导带底位于k=0的位置 电子直接从价带跃迁到导带，k值不变 曲线为直线 间接带半导体 价带顶和导带底的k值不同 电子从价带跃迁到导带不仅能量发生变化，动量也发生变化 声子参与——吸收或发射声子 跃迁概率低 k：声子的波矢 间接跃迁光吸收系数 吸收一个声子 发射一个声子 3、 缺陷及其对发光的影响 一、点缺陷 化合物 空位 、 填隙原子 、 位错原子 、 同时存在空位或填隙原子 杂质原子替位 、 杂质原子填隙 点缺陷可以形成