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最新模电复习要点详解 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体 的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电 子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空 穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN 结的单向导电性正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性同ＰＮ结。 *正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 2) 等效电路法  直流等效电路法 *总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型  微 变 等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性正常工作时处在PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电 路中要反向连接。 第一章重点掌握内容： 一、 概念 1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 3、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 4、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带 负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 5、 P 型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P 型半导体，使导 电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 6、 N 型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N 型半导体，使导 电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。 7、 PN 结具有单向导电性：P 接正、N 接负时（称正偏），PN 结正向导通，P 接 负、N 接正时（称反偏），PN 结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动 形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 8、 二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管)，按功能分有普通管，开关管、 整流管、稳压管等。 9、 二极管由一个PN 结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈 小电阻，大电流，反偏 时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：Si 管约 0。5V，Ge 管约为 0。1 V ， 其死区电压：Si 管约0.5V，Ge 管约为0.1 V 。 其导通压降：Si 管约0.7V，Ge 管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。 10、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。 ③加反向电压并击穿（即满足U ﹥UZ）时便稳压为UZ 。 11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。 二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 。三极管 复习完第二章再判） 参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反 偏截止。 f 、因 V 的阳极电位比阴