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模电知识总结 第一部分 半导体的基本知识 二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本 概念和条件。 1、 导体导电和本征半导体导电的区别： 导体导电只有一种载流子：自由电子导电 半导体导电有两种载流子：自由电子和空 穴均参与导电 自由电子和空穴成对出现，数目相 等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。 2、 本征半导体的导电性很差，但与环境温度 密切相关。 3、 杂质半导体 （1）N 型半导体——掺入五价元素 （2）P型半导体——掺入三价元素 4、 PN结——P型半导体和N型半导体的交 界面 在交界面处两 种载流子的浓 反 向 电 压 超 过 范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性， 和限幅电路中。 （1） 稳压管的伏安特性 （2）主要参数 1）稳定电压U： 2）稳定电流I 流。 越好。 反向电流小于 I 稳压管正常工作。 3）额定功率P：等于稳定电压U 结温度过高而损坏。 4）动态电阻r 化量之比。r 时稳定电压的变化越小， 越好。 5）温度系数 α 稳压值的变化量，即 α=△U/△T。 U4V 时，α为负值， 稳定电压值下降； U7V 时，α 时稳定电压值上升； 4U7V时，α 性能稳定。 5、 双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管— 管的结构、特性及主要参数 主要以 NPN 型硅管为例 特性 曲线和主要参数 放大是对模拟信号 P 区很薄且杂质浓 Ie：发射区杂质浓度 最基本的处理。晶体管是 度很低，发射区- 高，基区杂质浓度低， 放大电路的核心元件，它 上层的N区杂质浓 大量自由电子越过发射 结到达基区。 （2）特性曲线 （3）主要参数 1)直流参数 ①共射直流电流系数 β ②共基直流电流放大系数 α ③极间反向电流——硅管的温度稳定性比锗 发射极开路时集电结的反向饱和电流——