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第六章 基板技术Ⅱ—陶瓷基板 时间: 2009-12-07 - 分类: 《电子封装工程》, 学习笔记 点击数： 405 views 一、陶瓷基板概论 1、机械性质：（电路布线的形成） a.有足够高的机械强度，除搭载元器件外，也能作为支持构件使用； b.加工性好，尺寸精度高，容易实现多层化； c.表面光滑，无翘曲、弯曲、微裂纹等； 2、电学性能： a.绝缘电阻及绝缘破坏电压高； b.介电常数低、介电损耗小； c.在温度高、湿度大的条件下性能稳定，确保可靠性； 3、热学性质： a.热导率高； b.热膨胀系数与相关材料匹配（特别是与Si的热膨胀系数要匹配）； c.耐热性优良； 4、其他性质： a.化学稳定性好、容易金属化、电路图形与之附着力强； b.无吸湿性、耐油、耐化学药品、α射线放出量小； c.所采用的物质无公害、无毒性、在使用温度范围内晶体结构不变化； d.原材料资源丰富、技术成熟、制造容易、价格低； 2、陶瓷基板的制作方法： 陶瓷烧成前典型的成形方法有下述四种：粉末压制成形（模压成形、等静压成形）、 挤压成形、流延成形、射出成形。其中流延成形法由于容易实现多层化且生产效 率较高，近年来在LSI封装及混合集成电路用基板的制造中多被采用。常见的三 种工艺路线如下： ■叠片—热压—脱脂—基片烧成—形成电路图形—电路烧成； ■叠片—表面印刷电路图形—热压—脱脂—共烧； ■印刷电路图形—叠层—热压—脱脂—共烧； 3、陶瓷基板的金属化: a.厚膜法：厚膜金属化法，是在陶瓷基板上通过丝网印刷形成导体（电路布线） 及电阻等，经烧结形成电路及引线接点等；（常见的玻璃粘接剂有玻璃系、氧化 物系和玻璃与氧化物混合系） b.薄膜法：采用真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜等真空镀膜法进行金属化，由于为 气相沉积法，原则上讲无论任何金属都可以成膜，无论对任何基板都可以进行金 属化，但是金属膜层与陶瓷基板的热膨胀系数应尽量一致，而且应设法提高金属 化层的附着力； c.共烧法：在烧成前的陶瓷生片上，丝网印刷Mo、W等难熔金属的厚膜浆料，一 起脱脂烧成，使陶瓷与导体金属烧成为一体的结构，此方法具有以下特性： ■可以形成微细的电路布线，容易实现多层化，从而能实现高密度布线； ■由于绝缘体与导体作成一体化结构，可以实现气密封装； ■通过成分、成形压力、烧结温度的选择，可以控制烧结收缩率，特别是平面方 向零收缩率基板的研制成功为其在BGA、CSP、裸芯片等高密度封装方面的应用 创造了条件； 二、各类陶瓷基板： 1、氧化铝基板: a.原料：Al2O3原料的典型制造方法是Buyer法，在这种方法中原材料采用铝矾 土（水铝矿/一水软铝石以及相应的化合物）； b.制作方法：Al2O3陶瓷的成形一般采用生片叠层法，粘接剂一般采用聚乙烯醇 聚丁醛 （PVB）数字，烧成温度因添加的助烧剂不同而异，通常为1550～1600℃。 Al2O3基板的金属化方法目前主要采用厚膜法及共烧法、从使用的浆料到工艺技 术都比较成熟，目前可满足各方面应用的要求； c.应用：混合集成电路用基板、LSI封装用基板、多层电路基板； 2、莫来石基板（3Al2O3.2SiO2）：是Al2O3-SiO2二元系中最稳定的晶相之一， 与Al2O3相比虽然机械强度和热导率要低一些，但其介电常数低，因此可望能进 一步提高信号传输速度。其热膨胀系数也低，可减小搭载LSI 的热应力，而且与 导体材料Mo、W 的热膨胀系数的差也小，从而共烧时与导体间出现的应力低； 3、氮化铝基板： a.原料：AlN为非天然存在而是一种人造矿物，于1862年由Genther等人最早 合成。AlN粉末的代表性制作方法是还原氮化法和直接氮化法，前者以Al2O3为 原料，通过高纯碳还原，再与氮气反应形成，后者直接是Al粉末与N2发生反应 进行直接氮化； b.制造方法：Al2O3基板制造的各种方法都可用于AlN基板的制造，其中用得最 多的是生片叠层法，即将AlN原料粉末、有机粘接剂及溶剂、表面活性剂混合制 成陶瓷浆料，经流延、叠层、热压、脱脂、烧成制得； c.AlN基板的特性：AlN的热导率 为Al2O3 的10倍以上，CTE与硅片相匹配， AlN材料相对与Al2O3来说，绝缘电阻、绝缘耐压要高些，介电常数更低些，这 些特点对于封装基板应用来说是十分难得的； d.应用：用于VHF（超高频）频带功率放大器模块、大功率器件及激光二极管基 板等； 4、碳化硅基板： a.原料：SiC不是天然产生而是由人工制造的矿物，由硅石、焦炭及少量食盐以 粉末状混合，用石墨炉将其加热到2000℃以上发生反应，生成α-Si