SiC模块封装技术.docxVIP

科普提供」Sic模块封装技术 SiC近年来在光伏，工业电源，汽车等领域逐步渗透，并快速开展。当 面对大功率需求的时候，多芯片并联的功率模块设计开始遇到问题，传 统的基于Si基的模块设计很多时候并不完全适用于SiC模块的设计。 那么SiC模块封装该如何更好的适应应用需求呢？ SiC模块封装需求 当我们去考虑如何更好的封装SiC产品的时候,是基于其差异与传统Si 产品的固有特性的。其主要包含两个方面即是更快、更热，以及衍生的 设计上的变化我认为有一下几点： 更快是指SiC的开关速度更快，dv/dt、di/dt更大。会导致系统杂散电 感、分布电容对系统的影响更加显著，对称设计将变得非常重要。 更热意味着芯片可以工作到更高的结温，但是更高的结温对封装要求 也更高，硅凝胶如何能工作到超过200℃。新型材料比方硅橡胶是不 是可以用于传送模(transfer molding)以满足更高的温度要求？以及更 高的工作结温情况下寿命如何保证。 .功率循环能力，如何满足想系统要求。铜绑定线或者无绑定线是不是 正确的路线。 在很多应用场合，可以发挥体二极管的作用省去反并联二极管。那么 上下桥的结构设计是不是可以简化。 由于电流密度更大，对绑定线载流能力要求提高，或者无绑定线。 端子的设计如何来更好的适配。从下列图英飞凌论文给出的布局可以看 出，三端子的设计对于对称设计以及降低杂散电感是有利的。 功率密度更高的情况下，模块的体积可以变得更小，是否会带来模块 封装设计的变化。 ?从芯片到模块到系统是目前垂直的三个层面。那么未来模块到系统会 不会产生一定的融合？比方半集成的模块在系统层面实现完全集成。 SiC功率模块封装结构进展 设计满足各种应用需求的封装本质上是芯片布局成电路和散热技术。结 合外部设计组成成熟的产品，其技术基础主要是三个方面。包括芯片互 连，芯片焊接，和散热设计，加上一个外壳封装构成整个模块，如下列图 所示: Top connection(bonding) ModuleBottomconnection(soldecsinder) Thermal Desgin(Substrate, Baseplate] 首先看一下芯片顶部连接结技术变化: 当前主流方案DBB 银烧结3二” DSC双面水冷 无绑定线金属垫片连接 Skin铜箔母排 银烧结无绑定线 铜绑定线(带)铜缓冲层 无绑定线 传统封装技术下的芯片顶部连接技术以铝绑定线为主，铝绑定带也是一 个改进方案。新的已经有应用的一些技术方案包括DLB,双面冷却， DBB, SkiN等。其基本特点都是采用铜工艺。来代替铝绑定线，对于改 善可靠性，提高功率循环能力应该都有一定的效果。 ［直接导线键合结构(DLB, Direct-LeadBonding) 直接导线键合结构如下图，该结构最大的特点就是利用焊料，将铜导 线与芯片外表直接连接在一起，相对引线键合技术，该技术使用的铜导 线可有效降低寄生电感，同时由于铜导线与芯片外表互连面积大，还可 以提高互连可靠性。 三菱公司利用该结构开发的IGBT模块，相比引线键合模块内部电感降 低至57%,内部引线电阻减小一半。 MoldJhCCcmtjol LndHetlTOLCUF01I Sokitr图1 DLB结构 MoldJhC Ccmtjol Lnd Hetl TOLCUF01I Sokitr ? SKiN结构SKiN结构如图2所示，该模块结构也是一种无引线键合的结构，它采 用了双层柔软的印刷线路板同时用于连接MOSFET和用作电流通路， 赛米控（SEMIKRON）公司采用该种结构开发的1200V/400A （8个 50AsicMOSFET芯片并联）半桥功率模块的寄生电感小于1.4nH。 图2 SKiN 图2 SKiN结构 再来了解一下芯片的底部连接的变化: 新技术方案当前主流方案 当前主流方案 当前主流方案纳米银烧结 低温烧结扩散 耐高温 热导率高新型合金 纳米铜烧结 SnAu 当前主流方案 纳米银烧结 低温烧结扩散 耐高温 热导率高 新型合金 纳米铜烧结 SnAu 目前主流的技术比方SAC (SnAgCu),其他的比方SnPb、SnPbAg, SnCu等,都是基于锡合金的连接工艺。随着烧结工艺以及材料的开展, 纳米级银粉烧结可以应用到芯片的连接并提供出色的性能。 使用银、铜等的微米纳米金属颗粒制备的焊膏取代锡/铅基软焊料，利用 微米纳米颗粒的尺寸效应，可以在较低的温度下进行烧结，烧结后成为 熔点很高的金属块材，而且具备良好的导电导热性能，可以较好地解决 上述问题。 SiC基片比硅基片更小更薄。将SiC基片与烧结银（作为基片与框架的 连接处）结合使用时，却能拥有SiC基片的优势。这些优势包括更高的 开关速度和更高的效率，从而带来更高的热密度，进而得到更