MOS模拟集成电路的基本单元电路.pptVIP

第六节 MOS单级放大电路 有源负载的共源MOS放大器常见的电路形式有： 1.E/E型NMOS放大器：放大管和负载管均为N沟道增强型 （E型）的共源放大器。 2. E/D型NMOS放大器：放大管用增强型（E型） ，负载管 用耗尽型（D型），两管均为N沟的共源放大器。 3.CMOS有源负载放大器：是由增强型NMOS管（放大），和 增强型PMOS （有源负载）组成的放大器。 4. CMOS互补放大电路：采用极性不同（P、N沟道）的两只 MOS管构成互补电路。 * . （一）、E/E型NMOS放大器 电路如图 ：（T1为放大管,T2为负载管） （RO2=1/(gm2+gmb2)为T2管的等效电阻）。 电压增益: 此时衬底接地 不考虑衬底效应 等效电路： * . 特点： 1 .由于ST1、ST2受工艺限制不能随意增加，AUE只能达到5-10倍（较小）。 2.输入电阻很高，一般可达1010? 输入电阻：Ri1010? 输出电阻：Ro=rds//RO2 * . （二）、E/D型NMOS放大器 1.电路如图: (T1为放大管， T2为负载管) 2.等效电路如图: （RO2=1/gmb2为T2管的等效电阻） 电压增益: * . 输入电阻：Ri1010? 输出电阻：Ro=rds//Ro2 特点： 1.增益高，因?2为0.1左右，故AUD比AUE高一个数量级。（常用） 2. 输入电阻为T1的栅源绝缘电阻，很高，一般可达1010? 3. 输出电阻比E/E型放大器高。 E/E型 * . （三）、CMOS放大器 电路如图 : (B、S短接即UBS=0;UGS=0) 等效电路如图 : (T2管的等效负载Ro2=rds) 电压增益： AU=-gm1(rds1//rds2) * . 优点： 1. 增益高，g ds比gm或gmb小1~2个数量级，故在 同样工作电流条件下，AU远高于AUE、AUD --几百倍乃至上千倍）。 2.功耗小，在恒流区 输入电阻：Ri1010? 输出电阻： 缺点： 输出电阻比E/E型和E/D型高，负载能力较E/E型和E/D型差。 可见，在恒流区，ID越小，AU越高。所以，CMOS放大器可在较低的电流下工作，有利于降低功耗。 * . （四）、CMOS互补放大器 电路如图： 等效电路如图： 电压增益： 输入电阻：Ri1010? 输出电阻： 增益高 ，是CMOS有源负载放大器的2倍。 缺点： 级联时电平匹配困难，因此一般作输出级。 特点： * . 四种常用MOS单级放大器性能比较 电路类型 增益 表达式 AU典型值 输出电阻Ro表达式 E/E型NMOS 放大电路 20dB 30dB CMOS有源负载 放大电路 30～60dB CMOS互补 放大电路 31～66dB E/D型NMOS 放大电路 * . . 第四章 MOS模拟集成电路的基本单元电路 MOS场效应管的特点 MOS单级放大电路 MOS功率输出单元电路 MOS开关电容电路 MOS场效应管的模型 MOS场效应管的三种基本放大电路 MOS管有源负载 MOS管电流源 MOS管差分放大电路 * . 第一节 MOS场效应管的特点 （1）MOS场效应管是一种电压控制器件；iD受uGS的控制。 （2）MOS场效应管是单极型器件，温度稳定性好，抗辐射能力强。 （3）输入电阻极高，一般高达109?~1012?。 （4）MOS场效应管所占芯片面积小、功耗很小，且制造工艺简单，因此便于集成。 （5）因MOS场效应管既有N沟道和P沟道器件之分，又有增强型和耗尽型之别，它们对偏压极性有不同要求。 * . （6）MOS场效应管跨导gm较低（约为双极型晶体管的1/40），所以为了提高增益，减小芯片面积，常采用有源负载。 （7）MOS场效应管存在背栅效应（也称衬调效应），为了减小栅源电压对漏极电流的影响，要保证衬底与沟道间的PN结始终处于反偏。 （8） MOS场效应管的不足之处除了跨导gm较低以外，还有其工艺一致性较差、输入失调电压大、工作频率偏低，低频噪声较大等。 MOS场效应管的特点 * . 第二节 MOS场效应管的模型 1.简化的低频交流小信号模型 简化的低频小信号模型（ duBS=0） 求全微分得 正弦信号下 考虑到MOS管的输入电阻极高，(RGS可认为无穷大）。 若源、衬极相连，uBS=0,则可得简化的低频小信号模型如图 Ugs Uds Id + + - - * . 第二节 MOS场效应管的模型 2.高频交流小信号模型 MOS管完整的交流小信号模型如图 如果MOS管的源极与衬底