第2章 半导体器件基础.pptVIP

2、三极管的主要极限参数 1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO 第61页，共92页，编辑于2022年，星期六 *2.3.4 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 >T1 第62页，共92页，编辑于2022年，星期六 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 > iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 第63页，共92页，编辑于2022年，星期六 2.4　场效应管 引　言 2.4.1 场效应管的结构、类型 2.4.3 场效应管的特性曲线 2.4.2 场效应管的工作原理 2.4.4 场效应管的符号表示及主要参数 第64页，共92页，编辑于2022年，星期六 引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET) 第65页，共92页，编辑于2022年，星期六 特点： 1. 单极性器件(每个FET中只有一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、 体积小、成本低 2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 第66页，共92页，编辑于2022年，星期六 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 2.4.1 场效应管的结构、类型 第67页，共92页，编辑于2022年，星期六 O t uO/ V 0.7 O t ui / V 2 ? 0.7 第29页，共92页，编辑于2022年，星期六 练习：已知 ui = 4 sin ?t (V)，二极管为理想二极管，画出uo的波形。 第30页，共92页，编辑于2022年，星期六 2. 钳位：利用二极管将信号“钳制”在不同的直流电位 u t u t 第31页，共92页，编辑于2022年，星期六 2.2.6 稳压、发光、光电、变容二极管简介 伏安特性 符号 工作条件：反向击穿 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 1、稳压二极管 第32页，共92页，编辑于2022年，星期六 主要参数 1） 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。 2）稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3） 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4） 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 几 ? ? 几十 ? 第33页，共92页，编辑于2022年，星期六 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 ? 2) V 符号 u /V i /mA O 2 特性 2、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 第34页，共92页，编辑于2022年，星期六 实物照片 第35页，共92页，编辑于2022年，星期六 3.光敏二极管 1．符号和特性 符号 特性 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 2. 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 实物照片 第36页，共92页，编辑于2022年，星期六 4.变容二极管 特点：结电容随反向电压的增加而减少 符号 应用：高频技术中应用较多 C(pF) -V(V) 第3