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第1页/共44页 化学汽相淀积（Chemical Vapor Deposition，CVD ）是基于化学反应的薄膜淀积方法。以气体形式提供的反应物质， 在热能 、等离子体、紫外光等的作用下，在衬底表面经化学反应（分解或合成）形成固体物质的淀积。废气排出 2H2反应气体输入 SiH4 (1%浓度)反应室Si能量第2页/共44页 集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜等，几乎都能用 CVD 工艺来淀积，例如 介质：SiO2、Si3N4、PSG、BSG、Al2O3、TiO2、Fe2O3 半导体：Si、Ge、GaAs、GaP、AlN、InAs、多晶硅 导体：Al、Ni、Au、Pt、Ti、W、Mo、WSi2 CVD 工艺的台阶覆盖性也很好。第3页/共44页第4页/共44页第5页/共44页第6页/共44页第7页/共44页第8页/共44页 CVD 的分类 1、按温度，有低温 ( 200 ~ 500oC)、中温 ( 500 ~ 1000oC) 和高温 ( 1000 ~ 1300oC) CVD。 2、按压力，有常压 ( APCVD ) 和低压 ( LPCVD ) CVD。 3、按反应室壁温度，有热壁 CVD 和冷壁 CVD 。热壁是指壁温高于晶片温度，通常是在反应室外采用电阻发热方式透过室壁对晶片进行加热。冷壁是指壁温低于晶片温度，可采用射频感应或电阻发热方式在反应室内对基座进行加热。 4、按反应激活方式，有热激活、等离子激活 ( PECVD ) 和紫外光激活等。 5、按气流方向，有卧式 CVD 和立式 CVD。第9页/共44页第10页/共44页 13.1 一种简单的硅淀积 CVD 系统 如果反应是在硅片上方的气体中发生的，称为 同质反应 。如果反应是在硅片表面处发生的，则称为 异质反应 。　在淀积多晶硅薄膜的 CVD 系统中 ，硅烷（SiH4）先通过同质反应产生气态的亚甲硅基（SiH2），然后亚甲硅基吸附在硅片表面通过异质反应而生成固体硅。一般不希望由同质反应直接生成固体硅。废气排出 2H2反应气体输入 SiH4 (1%浓度)反应室Si加热第11页/共44页 13.3 气体流动和边界层 从硅片表面气体流速 v = 0 处到硅片上方 v = 0.99 v0 处之间的这一层气体层称为 边界层，或 滞流层。主气流，v0反应气体滞流层x基座yL第12页/共44页 滞流层厚度将随气流方向的距离 x 而变化，式中， 为气体的粘滞系数， 为气体的质量密度。 滞流层在长度为 L 的基座上的平均厚度为第13页/共44页 13.4 简单 CVD 系统评价第14页/共44页 化学汽相淀积过程 1、反应气体从反应室入口向硅片附近输运； 2、反应气体通过同质反应生成系列次生分子； 3、次生分子扩散穿过滞流层到达硅片表面 4、气体在基体表面的吸附； 5、在硅片表面发生异质反应生成固体薄膜； 6、气体副产物解吸附； 7、副产物离开硅片表面； 8、副产物离开反应室。第15页/共44页第16页/共44页第17页/共44页 CVD 过程中与淀积速率有关的两个关键步骤是： 1、反应气体以扩散方式穿过滞流层到达硅片表面，并被吸附于硅片表面。这称为 质量输运过程。扩散流密度为式中， ，称为 气相质量转移系数，a = 1.75 ~ 2。 2、在硅片表面处发生反应，生成薄膜。消耗掉的反应剂的粒子流密度为式中， ，称为 表面反应速率常数。第18页/共44页 稳态时，J1 = J2 = J ，且淀积速率正比于 J 。　将以上各方程联立求解，可得式中，第19页/共44页 当温度较低时，hg ks ，J = ksCg ，淀积速率由 ks 决定。由于 ks 与温度密切有关，所以这时淀积速率与温度的关系很密切，必须严格控制温度及其均匀性，常采用热壁系统。这时淀积速率与气流的关系不大，可设计成大批量系统。 当温度较高时，hg ks ，J = hgCg ，淀积速率由 hg 决定。由于 hG 与气流密切有关，所以这时淀积速率与气流的关系很密切 ，必须严格控制气体流量与反应室几何形状，通常是单片或小批量系统。温度增加时 hg 也会增大，但比较平缓。第20页/共44页 此外，Dg 和 与气压有关 ，所以在不同的气压范围，hg和 ks 的相对大小也不同。 除了 淀积速率 以外，评价 CVD 系统的指标还有 薄膜应力、台阶覆盖 和 薄膜的组分 等。 CVD 薄膜的台阶覆盖性通常是很好的。 CVD 薄膜的主要问题是薄膜的化学组分。例如，在硅烷分解工艺形成的硅薄膜中可能含有高浓度的氢，使薄膜的密度降低。反应室中残存的氧和水可能与硅反应形成 SiO2 。用 CVD 法生长的 SiO2 膜中也可