集成电路芯片制作工艺流程概述.docx

PAGE PAGE 31 第 4 章 芯片制造概述 本章介绍芯片生产工艺的概况。（1）通过在器件表面生成电路元件的工艺顺序，来阐述4种最基本的平面制造工艺。（2）解释从电路功能设计图到光刻掩膜版生产的电路设计过程。（3）阐述了晶圆和器件的相关特性与术语。 4.1 晶圆生产的目标 芯片的制造，分为4个阶段：原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。 前两个阶段已经在前面第3章涉及。本章讲述的是第3个阶段，集成电路晶圆生产的基础知识。 集成电路晶圆生产(wafer fabrication)是在晶圆表面上和表面内制造出半导体器件的一系列生产过程。 整个制造过程从硅单晶抛光片开始，到晶圆上包含了数以百计的集成电路芯片。 晶圆生产的阶段 4.2 晶圆术语 下图列举了一片成品晶圆。 晶圆术语 晶圆表面各部分的名称如下： （1）器件或叫芯片（Chip，die，device，circuit，microchip，bar）：这是指在晶圆表面占大部分面积的微芯片掩膜。 （2）街区或锯切线（Scribe lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圆上用来分隔不同芯片之间的街区。街区通常是空白的，但有些公司在街区内放置对准靶，或测试的结构。 （3）工程试验芯片（Engineering die，test die）：这些芯片与正式器件（或称电路芯片）不同。它包括特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。 （4）边缘芯片（Edge die）：在晶圆的边缘上的一些掩膜残缺不全的芯片。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费会由采用更大直径晶圆所弥补。 推动半导体工业向更大直径晶圆发展的动力之一就是为了减少边缘芯片所占的面积。 （5）晶圆的晶面（Wafer Crystal Plane）：图中的剖面标明了器件下面的晶格构造。此图中显示的器件边缘与晶格构造的方向是确定的。 （6）晶圆切面／凹槽（Wafer flats／notche）：图中的晶圆有主切面和副切面，表示这是一个 P 型 100 晶向的晶圆（参见第3章的切面代码）。300毫米晶圆都是用凹槽作为晶格导向的标识。 4.3 晶圆生产的基础工艺 集成电路芯片有成千上万的种类和功用。但是，它们都是由为数不多的基本结构（主要为双极结构和金属氧化物半导体结构，这些在后面介绍）和生产工艺制造出来的。 这类似于汽车工业，这个工业生产的产品范围很广，从轿车到推土机。然而，金属成型、焊接、油漆等工艺对汽车厂都是通用的。在汽车厂内部，这些基本的工艺以不同的方式被应用，以制造出客户希望的产品。 芯片制造也是一样，制造企业使用4种最基本的工艺方法，通过大量的工艺顺序和工艺变化制造出特定的芯片。 （1）增层（2） （1）增层 （2）光刻 （3）掺杂 （4）热处理 晶圆生产的基础工艺 ? 增层 增层是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。从下图的简单MOS晶体管，可以看出在晶圆表面生成了许多的薄膜。 这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们由不同的材料组成，是使用多种工艺生长或淀积的。 截面图：完整金属氧化物栅极晶体管的生长层和沉积层 这里主要的工艺技术是：生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜（如下图所示）。 增层的制程 生长法 淀积法 氧化工艺 化学气相淀积工艺 氮化硅工艺 蒸发工艺 溅射 增层的制程分类 通用的淀积技术是：化学气相淀积、蒸发和溅射。 下表列出了常见的薄膜材料和增层工艺。其中每项的具体情况、各种薄膜在器件结构内的功用等，在本书的后面章节中有阐述。 层别 热氧化工艺 化学气相 淀积工艺 蒸发工艺 溅射工艺 绝缘层 二氧化硅 二氧化硅； 氮化硅 二氧化硅； 一氧化硅； 半导体层 外延单晶硅； 多晶硅 导体层 铝； 铝／硅合金； 铝铜合金； 镍铬铁合金； 黄金 钨； 钛； 钼； 铝／硅合金； 铝铜合金 薄层分类／工艺与材料的对照表 ? 光刻 光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺（见下图）。 光刻加工过程 光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，且在晶圆表面的位置要正确，而且与其他部件的关联也要正确。 在此之后，晶圆表面会留下带有