材料合成与制备：第四章化学气相沉积.pptVIP

* * APCVD 压力接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式。 半导体器件制造时纯度要求高，所有反应器都是用纯石英作为容器，用高纯石墨作为基底，易于射频感应加热或红外线加热。最主要用于SiCl4氢还原在单晶硅片上生长几微米厚的外延层。 (所谓外延层是指与衬底单晶的晶格相同排列方式增加了若干晶体排列层，也可以用晶格常数相近的其他衬底材料来生长硅外延层。这样的外延称为异质外延。) APCVD的操作压力接近1atm(101325Pa)，气体分子间碰撞频率很高，属于均匀成核的“气相反应”很容易发生，而产生微粒。 * 将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力降低到大约100Torr (1Torr=133.332 Pa)以下的一种CVD反应。 LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力（厚度均匀）。 因为气体分子间的碰撞频率下降，使气相沉积反应在LPCVD中变得比较不显著。但是也因为气体分子间的碰撞频率较低，使得LPCVD法的薄膜沉积速率比较慢一些。 LPCVD * 在低真空条件下，利用硅烷气体、氮气（或氨气）和氧化亚氮，通过射频电场而产生辉光放电形成等离子体，以增强化学反应，从而降低沉积温度，可在常温至350℃条件下，沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。 在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10～100倍，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子的产生。 所产生的活化分子、原子集团之间的相互反应最终沉积生成薄膜。把这种过程称之为等离子增强的化学气相沉积PCVD或PECVD，称为等离子体化学气相沉积。 PECVD * 金属有机源（MO源）可以在热解或光解作用下，在较低温度沉积出相应的材料，如金属、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物和化合物半导体材料等的薄膜。 MOCVD 常压 MOCVD 低压 MOCVD 原子层 外延 （ALE） 激光 MOCVD MOCVD * LCVD是用激光诱导促进化学气相沉积。 LCVD是激光分子与反应气分子或衬材表面分子相互作用的过程。 按激光作用的机制可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。 激光热解沉积用波长长的激光进行 如CO2激光、YAG激光、Ar+激光等。 激光光解沉积要求光子有大的能量，用短波长激光。 如紫外、超紫外激光进行，如准分子XeCl、ArF等激光器。 LCVD * 化学气相沉积生产装置 气相反应室 加热系统 气体控制系统 排气系统 CVD装置 * 化学气相沉积生产装置 * CVD设备的心脏——进行反应沉积的“反应器” 。 反应器种类： 按操作压力: 常压CVD与低压CVD； 按结构：水平式、直立式、直桶式、管状式、烘盘式及连续式等； 温度控制：热壁式（hot wall）与冷壁式（cold wall）； 能量来源和反应气体种类：等离子增强CVD (plasma enhanced CVD，或PECVD)，有机金属CVD (metal-organic CVD，MOCVD)等。 * 卧式反应器 可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 * 立式反应器 可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 * 桶式反应器 可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 * LPCVD反应器是以退火后的石英所构成。 环绕石英制炉管外围的是一组用来对炉管进行加热的装置，因为分为三个部分，所以称为“三区加热器”。气体通常从炉管的前端，与距离炉门不远处，送入炉管内。被沉积的基片，则置于同样以适应所制成的晶舟上，并随着晶舟，放入炉管的适当位置，以便进行沉积。 采用直立插片增加了硅片容量 热壁LPCVD装置 * 电感耦合产生等离子的PECVD装置 等离子体增强CVD装置 * 平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上，压强通常保持在133Pa左右，射频电压加在上下平行板之间，于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体 。 等离子体增强CVD装置 * 扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等等离子体的PECVD装置。它的设计主要是为了配合工厂生产的需要，增加炉产量 等离子体增强CVD装置 * MOCVD装置 MOCVD设备的进一步改进主要有三个方面：获得大面积和高均匀性的薄膜材料；尽量减少管道系统的死角和缩短气体通断的间隔时间，以生长超薄层和超晶格结构材料 * 履带式常压CVD装置 衬底硅片放在保持400℃的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。 * 模块式多室CVD装置 * 桶罐式CVD反应装置 对于硬质合金刀具的表