半导体材料的过去、现在和将来.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 半导体材料的过去、现在和将来 * 6.1.4 弹道输运现象 ? 当电子的弹性散射平均自由程和体系尺度相比甚小时，电子与无序分布的杂质散射，行走的路径是无规的。如果电子的平均自由程大到和体系的尺度相当或更大时，电子进入弹道输运区；这时杂质散射可以忽略，电流的大小则由样品的边界散射决定。下左图具有分裂栅结构的器件栅长和栅宽都比电子的平均自由程大，右图是低温下测得的电导随门电压台阶式的变化曲线，台阶高度为2e2/h(1/13K?)。由于被电子占椐的子带N是整数，且随通道的宽窄而变化，故电导随电压成台阶式变化。 六、低维半导体材料 * 半导体材料的过去、现在和将来 * 6.2 低维（一维、零维）半导体材料的特性 ? 超高速、超高频（1000GHz）、高效、低功耗和高集成度（1010电子器件/cm2）等。 ? 由于载流子在量子点中三维受限，导致的?态密度函数使量子点 激光器具有比量子阱激光器(QWLD)相比更优越多特性。如： ? 超低阈值电流密度?2A/cm2,目前最好的QWLD为50A/cm2！ ? 高阈值电流温度稳定性(理论上T0＝?) ? 超高的微分增益(至少为 QWLD的一个量级以上) ? 极高的调制带宽，在直流电流调制下无波长漂移工作和对衬底缺陷不敏感等特点。 ? 在未来的纳米电子学、光子学和新一代VLSI等方面有着极其重要应用前景，可能触发新的技术革命,是21世纪高技术产业的重要支柱之一。 六、低维半导体材料 * 半导体材料的过去、现在和将来 * 6.3 低维半导体材料的制备技术 低维半导体结构的发展很大程度上是依赖材料的先进生长技术 ( MBE 、MOCVD等 ) 和精细加工工艺 ( 聚焦电子束、离子束和X-射线光刻技术等 ) 发展、完善与进步. 6.3.1 分子束外延技术( MBE ) MBE 技术本质上是一个在超高空条件下, 对蒸发束源和外延衬底温度加以精确控制的薄膜蒸发技术.它已能生长大面积均匀、单原子表面平滑、界面陡变的各种 结构材料。左是生产型MBE设备，4英寸3.75万片/年。6英寸1.5万片/年。 六、 低维半导体材料 * 半导体材料的过去、现在和将来 * 6.3.2 金属有机化合物化学汽相淀积技术( MOCVD) ? MOCVD 技术是用氢气 将金属有机化合物蒸汽和气态非金属氢化物经过网络送入反应室加热的衬底上,通过热分解反应而最终在衬底上生长出外延层的技术。 ? 它适合于各种单质和化合物薄膜材料, 特别是高蒸汽压的磷化物, 高Tc 超导氧化物及金属薄膜等生长.它的生长速率较 MBE快, 有利于多片、大面积的工业规模生产。 六、 低维半导体材料 ? MOCVD设备，2英寸?95，4英寸?9,6英寸x5,年生产能力为4英寸3.75 x104片, 6英寸1.5 x104 片/年。 ? 目前制造MOCVD设备的厂家主要有AIXTRON, EMCORE 和 THOMS SWAN 等. * 半导体材料的过去、现在和将来 * 6.3.3 低维结构材料生长和精细加工相结合的办法 ? 超晶格、量子阱器件结构材料的MBE或MOCVD)生长。 ? 高空间分辨电子束曝光直写，湿法或干法刻蚀；微细离子束注入隔离制备QWs和QDs。可产生最小特征宽度为10nm的结构。 ? 优点: 可人为控制量子线、量子点几何尺寸、形状和密度。 ? 缺点: 横向尺寸要此垂直方向尺度大很多，难以形成立体分布；加工损伤和工艺过程中杂质污染等，使量子器件的性能远达不到理论期望值。 六、 低维半导体材料 * 半导体材料的过去、现在和将来 * 6.3.4 应变自组装量子线、量子点材料生长技术 ? 三种外延生长模式 ? SK生长模式的初始阶段是二维平面生长，通常只有几个原子层厚，称之为浸润层。随着层厚增加，应变能不断积累，当达到某一个临界厚度tc时，外延生长则由二维平面生长过渡到三维岛状生长。三维岛生长初期，形成的纳米量级尺寸小岛周围是无位错的。 ? 若用禁带宽度大的材料将其包围起来，小岛中的载流子将受到三维限制，称为量子点。 ? 优、缺点：可生长纳米尺度无损伤的量子点，但量子点的尺寸、形状和分布