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电子技术试卷及答案 分，共 18 分）一、填空题（每空 1） ）性能，即：加（ （1．PN 结 具有 结截止。 电压时PN ）电压时PN 结导通；加（电压过大 ） （ ．晶体二极管因所加 2 的） 而 （ ），并且出现（ 现象，称为热击穿。，锗晶体三极）V 3．硅晶体三极管的饱和压降约为 （ V 。 ）管的饱和压降约为（ ．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加4 ）。 而 （ ．表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数 5）和 ）、 （（ 有 ）。 （ ．对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻 6 些，以减轻信号源的负担， 输出电阻要） 要 （ 些，以增大带动负载的能力。 ） （ 、） 7．逻辑代数的三种基本运算是（ ）） 和（ （ 8．放大电路必须设置合适的静态工作点，否则，输出信号可能产生（ ）。 二、判断题（每题 2 分，共 16 分） 1．在半导体内部，只有电子是载流子。（ ） 2．晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ） 3．无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b 极电位总是高于 e 极电 位，c 极电位也总是高于 b 极电位。（ ） 4．放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（ ） 5．交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静 态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（ ） 6．逻辑代数中的0和 1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。（ ） 7．与门的逻辑功能可以理解为输入端有 0，则输出端必为 0；只有当输入端全为 1 时，输出端为 1。（ ） ） ．负反馈可以消除放大器本身产生的非线性失真。（8． 分）三、选择题（每题 3 分，共 18 1．内部自由电子数量和空穴数量相等的 半导体是（ ）、本征半导 C、N 型半导体 A、 P 型半导体 B 体 ．晶体三极管的发射结正偏，集电极反偏时，则晶体三极管所处的状态是 2 （ ）、截止 C 、放大状态 B 、饱和状态 A 状态．晶体管放 大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管 3 ）（ B、集电结为正向偏置A、发射结为反向偏置 C、始终工作在放大区．凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高、 低电平的矩形波 4 ）脉冲信号，称为 （直流 C、 B、数字信号 A、 模拟信号 信号 ） 转换为十进制数后为（5．二进制数 10011 、 B 、A18 21 、 C 19 V,-9.3V,0 测的三极管三个电极的静态电位分别为 V,-10 6．在某放大电路中, 则这只三极管是( ) A、NPN 型硅管 B、NPN 型锗管 C、PNP 型硅管 四、问答题与计算题（48 分） 1．如图示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状 态（NPN 管为硅管，PNP 管为锗管）。（每题5 分，共 10 分） -2。2V 1．7V 6V -2。3V -2V 1V 分）2．画出三极管的输出特性曲线。（8 39kR，10k，R，R120k3、电路如下图所示，已知：V12V