热载流子耿氏效应 半导体物理 Semiconductor Physics 热载流子 半导体物理 Semiconductor Physics 电场不太强时,电流密度与电场强度关系服从欧姆定律 对给定的材料 当电场强度增强到103 V/cm以上时,J与|E|不再成正比,电导率不再是常数 当电场强度增强到105 V/cm以上时,载流子浓度开始改变 电导率是常数(一定温度下),与电场无关 迁移率大小与电场无关 平均漂移速度与电场强度成正比 在103 ~ 105 V/cm范围内欧姆定律的偏离只能是源于迁移率的改变,平均漂移速度与电场强度不再成正比 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 强电场下欧姆定律发生偏离的原因 无外电场时,载流子和晶格作用时,将吸收或发射声子,与晶格交换动量及能量。总体交换的净能量为零,两者处于热平衡状态。 有电场存在时,载流子从电场获得能量,随后又通过晶格散射(发射声子)将能量传递给晶格,低电场下两者可以达到新的热平衡状态 在强电场情况下,载流子不断从电场中获得较多能
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