《半导体物理学》第16章陷阱效应载流子的扩散运动.ppt

半导体物理 Semiconductor Physics 这时，非平衡载流子浓度在样品内呈线性分布。 半导体物理 Semiconductor Physics 其浓度梯度为 扩散流密度为 扩散流密度是一个常数，意味着非平衡载流子在样品中没有复合 半导体物理 Semiconductor Physics 对于电子来讲，是类似的 扩散定律： 稳态扩散方程： 半导体物理 Semiconductor Physics 因为电子和空穴都是带电粒子，它们的扩散必然导致扩散电流，相应的扩散电流密度 半导体物理 Semiconductor Physics 对于三维情况来讲，是类似的 扩散定律： 稳态扩散方程： 的扩散电流密度 半导体物理 Semiconductor Physics 对于点注入来讲，是类似的 对于点注入如探针注入，探针尖陷入半导体表面形成半径r0的半球，非平衡载流子浓度只是径距r的函数，相应公式采用球坐标表示。 半导体物理 Semiconductor Physics 稳态扩散方程： 令 根据r0处的边界条件，可确定系数 半导体物理 Semiconductor Physics 边界r0处的扩散流密度 与前面相比，多了Dp/r0一项，扩散效率比平面情况高，原因是很明显的 当r0 Lp时，几何形状引起的扩散的效果是显著的 Thanks