《半导体物理学》第4章常用半导体的能带结构.ppt

利用杂质补偿作用，就能根据需要用扩散或离子注入方式来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件。但是，若控制不当，出现施主杂质浓度和受主杂质浓度相等的情况，虽杂质很多，但不能向导带和价带提供电子和空穴，这种现象称为杂质的高度补偿，这种材料容易被误认为是高纯半导体。 半导体物理 Semiconductor Physics 深能级杂质 除了III、V族之外的杂质在硅、锗中所产生的施主和受主能级一般都分别距离导带和价带边比较远，称为深能级杂质。 这些深能级杂质大多能够产生多次电离，每一次电离相应地有一个能级，往往在硅、锗中产生多重能级。 有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 产生多个能级的原因很复杂，没有完善的理论加以说明。 粗略的定性解释：金在锗中产生四个能级，三个受主能级，都是深能级。金只有一个价电子，它取代锗晶格中原子后，（1）价电子可以电离而跃入导带，这一施主能级为ED，因为这个价电子的电离能很大，而锗的禁带宽度比较小，所以这个施主能级反而比较靠近价带顶。电离后，金原子就成为带正电的正电中心Au+。（2）中性金原子还可以和周围的四个锗原子形成共价键，形成共价键时，它可以从价带接受三个电子，形成