《半导体物理学》第14章非平衡载流子.ppt

非平衡载流子 半导体物理 Semiconductor Physics 非平衡载流子 热平衡状态下的载流子 在非简并情况下，无论掺杂多少，平衡载流子浓度n0和p0必定满足上述公式。非简并半导体处于热平衡状态的判据式。 半导体物理 Semiconductor Physics 如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡条件，就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。 处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，也称过剩载流子。 n0 p0 Δp Δn 光照 非平衡载流子浓度 Δn=Δp 半导体物理 Semiconductor Physics 在一般情况下，注入的非平衡载流子比平衡时的多数载流子浓度小的多，满足这个条件的注入称为小注入。 为什么小注入条件下非平衡少数载流子起重要作用，而非平衡多子的影响可以忽略？ 附加电导率 半导体物理 Semiconductor Physics 平衡载流子与非平衡载流子 平衡载流子 非平衡（过剩）载流子 热平衡状态 非平衡状态 载流子浓度一定 n0，p0 简并状态下遵从费米分布，载流子浓度乘积等于本征载流子浓度平方 非简并状态下遵从玻尔兹曼分布 除了本征情况，电子和空穴浓度一般不相等 载流子浓度不一定 通常由于电中