《半导体物理学》第9章简并半导体.ppt

简并半导体 半导体物理 Semiconductor Physics 前面几节中我们都假定费米能级位于离开带边较远的禁带之中，但是在有些情形下，费米能级可以接近带边甚至进入带内，这种情形称为简并。 在费米能级位于离开带边较远的禁带之中情况下，费米分布可由玻尔兹曼分布近似。在简并情形下，由于占有几率f(E)一般有较大的值，玻尔兹曼分布和费米分布之间的区别将变得显著，由玻尔兹曼分布得到的占有几率将大于由费米分布得到的，所以不能再用玻尔兹曼近似，而必须用费米分布。 半导体物理 Semiconductor Physics 非简并半导体载流子浓度基本思路： 我们知道了导带中的状态密度gc(E)，也知道了量子态被电子占据的几率f(E)，我们就可以得到导带中的电子数量，再除以半导体的体积，就得到了导带中的电子浓度。 半导体物理 Semiconductor Physics 简单推导： 导带中的电子大多在导带底附近，在非简并情况下： 在能量E到E+dE间的电子数dN为 半导体物理 Semiconductor Physics 单位体积中处在能量E到E+dE间的电子数为 半导体物理 Semiconductor Physics 积分，得到导带电子浓度 对于简并半导体 Ec - EF k0T 的条件不满足，这时导带电子浓度必须用费米分布函数计算，于是简并半导体的电子浓度n0为 半导体物理 Semiconductor Physics 令 得到 其中积分 称为费米积分，用 表示。 半导体物理 Semiconductor Physics 对于给定的ξ值，查图可找出 值。 半导体物理 Semiconductor Physics 同样方法可得简并半导体的价带空穴浓度 有了费米积分，简并半导体的导带电子浓度就可表示为 半导体物理 Semiconductor Physics 图中给出了玻尔兹曼分布和费米分布所决定的电子浓度与ξ的关系。 当EF = Ec时，n0的值已有显著差别，必须考虑简并化的作用。 简并化条件 半导体物理 Semiconductor Physics 当EF接近但还未超过导带底Ec时，已有一些简并化的效果。在EF比Ec低2k0T时，n0的值已经开始略有差别了。 非简并 弱简并 简 并 半导体物理 Semiconductor Physics 杂质浓度为多少时发生简并？ 以只含一种施主杂质的n型半导体为例，设ND为施主杂质浓度，电中性条件是电离施主浓度 与导带电子浓度n0相等，即 半导体物理 Semiconductor Physics 杂质电离能 半导体物理 Semiconductor Physics 若选取EF = Ec时为简并化条件，则发生简并时的杂质浓度ND为 从图中查得 括号内最小值为3，因此发生简并时，ND必定是接近或大于Nc 发生简并时的ND与杂质电离能有关，杂质电离能越小，则杂质浓度较小时就会发生简并 半导体物理 Semiconductor Physics 因 ，与温度有关，代入上式得 发生简并时，对于一定的 和ND，温度T可以有两个解T1、T2，表明发生简并化有一个温度范围T1~T2，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽。 半导体物理 Semiconductor Physics 例： 室温（300 K）下，掺磷的n型锗，费米能级与导带底重合而发生简并时，ND为多少？ 磷在锗中的电离能 =0.012 eV，锗的 当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂，这种半导体即称为简并半导体。 对掺磷的n型硅， =0.044 eV， ，计算可得 半导体物理 Semiconductor Physics 简并时杂质没有充分电离 已知电离施主浓度 ，当 简并时，EF =Ec， 注意这是一个结论，而不是当没有充分电离时怎样计算 半导体物理 Semiconductor Physics 室温时，对掺磷的n型硅 ，因此硅中的施主杂质