《半导体物理学》第26章自旋电子学研究进展.ppt

Motorola MTJ MRAM structure 写入 读出 位线 字线 写线 写线 位线 字线 WWL RWL GND BL MTJ CMOS MRAM与现行各存储器的比较（F为特征尺寸） 技术 DRAM FLASH SRAM MRAM 容量密度 256 GB 256 GB 180 MB/cm2 256 GB 速度 150 MHz 150 MHz 913 MHz 500 MHz 单元尺寸 25 F2/bit 2 F2/bit ? 2 F2/bit 联接时间 10 ns 10 ns 1.1 ns 2 ns 写入时间 10 ns 10 ?s ? 10 ns 擦除时间 1 ns 10 ?s ? 10 ns 保持时间 2.4 s 10 years ? 无穷 循环使用次数 无穷 105 无穷 无穷 工作电压(V) 0.5-0.6 V 5 V 0.6-0.5 V 1 V 开关电压 0.2 V 5 V ? 50 mV MRAM DRAM FLASH 256Kb MRAM chip Courtesy of Motorola 非挥发性 高的集成度 高速读取写入能力 重复可读写次数近乎无穷大 功耗小 ● ● ● ● ● ● 基于TMR构建的磁存储器(MRAM