《半导体物理学》第10章半导体中的导电性.ppt

半导体物理 Semiconductor Physics 其它因素引起的散射 在硅、锗和砷化镓中，一般情况下的主要散射是电离杂质散射和晶格振动散射，除此之外，还存在其他因素引起的散射，包括等同能谷间散射、中性杂质散射和位错散射。 半导体物理 Semiconductor Physics 等同的能谷间散射 硅的导带具有极值能量相同的六个旋转椭球等能面，载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷称为等同的能谷。对这种多能谷半导体，电子可以从一个极值附近散射到另一个极值附近，这种散射称为谷间散射。 电子在一个能谷内部散射时，电子只与长波声子发生作用，波矢k的变化很小，能量改变也很小，视为弹性散射；与长光学波散射时，能量有较大的改变，散射为非弹性的。 半导体物理 Semiconductor Physics 当电子发生谷间散射时，情况就有所不同。例如波矢为k1的电子，当处于波矢为k10的极值附近时，它可以被散射到波矢为k20的极值附近，波矢变为k2。在这个过程中，电子的准动量有相当大的改变，它的变化为hq=hk2-hk1，因而电子将吸收或发射一个短波声子，这种短波声子具有比较高的能量。所以，谷间散射时，电子与短波声