电子技术基础晶体管.pptxVIP

第1页/共38页几种特殊的晶体管晶体管的结构和符号概述231 晶体管第2页/共38页 5.1 概述晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。第3页/共38页第4页/共38页第5页/共38页第6页/共38页第7页/共38页5.1.1晶体管的历史 1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声 。 1956年，肖克利、巴丁、布拉顿三人，因发明晶体管 ， 同时荣获诺贝尔物理学奖。 第8页/共38页晶体管的发展历史英特尔酷睿2双核、四核处理器 5.8亿STEP 072005年5月26日：英特尔奔腾D处理器含有2.3亿个STEP 06　2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，5500万个 STEP 051978年，英特尔发布了第一款16位处理器8086，2.9万STEP 041971年：英特尔发布了其第一个微处理器4004 ，2000多个STEP 031953年：第一个采用晶体管，即助听器。STEP 02STEP 011947年12月16日 晶体管第9页/共38页英特尔酷睿i7处理器第10页/共38页含30亿晶体管的GF110核心第11页/共38页5.1.2晶体管替代电子管第12页/共38页1904年，世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。弗莱明为此获得了这项发明的专利权。人类第一只电子管的诞生，标志着世界从此进入了电子时代。 早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代，但目前在一些高保真的音响器材中，仍然使用低噪声、稳定系数高的电子管作为音频功率放大器件 。第13页/共38页由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点，现在它的绝大部分用途已经基本被晶体管所取代。但是电子管负载能力强，线性性能优于晶体管，在高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好，所以仍然在一些地方（如大功率无线电发射设备）继续发挥着不可替代的作用。 第14页/共38页5.1.3晶体管的分类按材料可分为：硅材料晶体管，锗材料晶体管。按极性可分为：锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按半导体材料和极性分类按结构及制造工艺分类扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 第15页/共38页小功率晶体管中功率晶体管大功率晶体管 按电流容量分类低频晶体管高频晶体管超高频晶体管等。 按工作频率分类金属封装晶体管、塑料封装晶体管、玻璃壳封装晶体管、表面封装晶体管陶瓷封装晶体管等。 按封装结构分类第16页/共38页按功能和用途分类低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等 。第17页/共38页NPN5.2晶体管结构和符号NPN型晶体管集电极 c集电区c集电结基区基极 bb发射结e发射区符号发射极 e第18页/共38页PN　cNNPbe符号　　集电极 c集电区集电结基极 b基区发射结发射区发射极 ePNP型晶体管第19页/共38页输入特性曲线1uBE /V+iCuCEciBuCE = 0VuCE = 0VuCE ? 1Vb-+uBEe-UCCUBBuBE /V共射极放大电路5.2.1晶体管共发射级特性第20页/共38页输出特性曲线2+iCuCEciBb-+uBEe-UCCUBB共射极放大电路第21页/共38页直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 1=（IC－ICEO）/IB≈IC / IB5.2.2晶体管的主要参数第22页/共38页交流电流放大系数hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 2? =?iC/?iB第23页/共38页耗散功率通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 耗散功率也称集电极最大允