计算机组成原理存储器.pptxVIP

第1页/共58页存储系统层次结构三级存储体系存储系统：容量大、速度快、成本低 CPU 对某类存储器而言，这些要求往往是相互矛盾的，如容量大，速度不能很快；速度快，成本不可能低；因此，在一个存储系统常采用几种不同的存储器，构成多级存储体系，满足系统的要求。 Cache 主存 外存第2页/共58页存储系统层次结构主存储器（内存）辅助存储器（外存）高速缓冲存储器Cache速度快主要存放CPU当前使用的程序和数据。容量有限速度较慢存放大量的后备程序和数据。容量大速度很快存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序和数据。容量小第3页/共58页存储系统层次结构物理存储器和虚拟存储器主存-外存层次：增大容量CPU主存 外存：为虚拟存储器提供条件虚拟存储器：将主存空间与部分外存空间组成逻辑地址空间用户使用逻辑地址空间编程，操作系统进行有关程序调度、存储空间分配、地址转换等工作第4页/共58页存储器分类按存储机制分类半导体存储器静态存储器：利用双稳态触发器存储信息动态存储器：依靠电容存储电荷存储信息磁表面存储器：利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息，容量大，非破坏性读出，长期保存信息，速度慢。光盘存储器利用光斑的有无表示信息第5页/共58页存储器分类按存取方式分类随机存取存储器随机存取：可按地址访问存储器中的任一单元，访问时间与地址单元无关SRAM:RAM:可读可写DRAM:MROM：用户不能编程PROM：用户可一次编程ROM:只读不写EPROM： 用户可多次编程EEPROM：用户可多次编程第6页/共58页存储器分类顺序存取存储器（SAM）访问时按读/写部件顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关速度指标：存取周期或读/写周期（ns）作主存、高速缓存。时钟周期的若干倍等待操作两步操作读/写操作平均等待时间（ms）速度指标（字节/秒）数据传输率第7页/共58页存储器分类直接存取存储器（DM）访问时读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关定位（寻道）操作三步操作等待（旋转）操作读/写操作平均定位（平均寻道）时间速度指标平均等待（平均旋转）时间数据传输率（位/秒）第8页/共58页存储器分类相联存储器：是一种特殊存储器，是基于数据内容进行访问的存储设备。写入数据时CAM能自动选择一个未用空单元进行存储。读取数据时CAM用所给数据同时对所有存储单元中的数据进行比较标记符合条件的数据。比较是同时进行的，所以读取速度比基于地址进行读写的速度快。第9页/共58页 静态RAM （SRAM） 随机读写 存储器半动态RAM （DRAM） RAM 导 体掩膜ROM 存储器 可编程ROM （PROM） 只读 存储器 可擦除ROM （EPPROM） ROM 2电擦除ROM （EPROM） 主存储器分类随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失只读存储器ROM：正常情况下只读、断电不丢失 第10页/共58页随机存取存储器 RAM（radom access memry，随机存取存储器）要求元件有如下记忆特性：有两种稳定状态；在外部信号的激励下，两种稳定状态能进行无限次相互转换；在外部信号激励下，能读出两种稳定状态；可靠地存储。 半导体RAM元件可以分为两大类：SRAM：是利用开关特性进行记忆，只要电源有电，它总能保持两个稳定状态中的一个状态。DRAM：除要电源有电外，还必须动态地每隔一定的时间间隔对它进行一次刷新，否则信息就会丢失。第11页/共58页只读存储器 掩模型只读存储器MROM可编程只读存储器PROM可重编程只读存储器EPROM电擦除可编程只读存储器EEPROM闪速存储器flash 1.掩模型只读存储器MROM 以有无元器件表示0和1，MROM芯片出厂时，已经写入信息，不能改写 用于需要量大且不需要改写的场合第12页/共58页W0W1b0b1b2只读存储器 2. 可编程只读存储器PROM PROM芯片出厂时，内容为全1，用户可用专用PROM写入器将信息写入，一旦写入不能改写（即只能写入一次）,所以又称一次型可编程只读存储器。?熔丝型PROM第13页/共58页只读存储器3. EPROM：可擦除可编程ROM UVEPROM （ultraviolet erasable programmable ROM）紫外线擦除（有一石英窗口，改写时要将其置于一定波长的紫外线灯下，照射一定时间全部擦除，时间长大约10~25分钟）EPROM存在两个问题: A. 用紫外线灯的擦除时间长. B. 只能整片擦除,不能改写个别单元或个别位第14页/共58页只读存储器4.电可擦除只读存储器EEPROM（electronically EPROM)可在联机情况下，通过专用写入器加高压擦除可多次，支持数据块擦除5. 闪速存储器(Flash E2PRO